一. 要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合.一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图. Intel 2114芯片的读.写周期时序如图所示. 二. 读周期 读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平.tRC (读周期时间):指对芯片连续两次读操作之间的最小间隔时间.tA (读出时间):从给出有效地址后,经过译码电路.驱动电路的延迟,到读出所选单元内容,并经I/O电路延迟,直到数据在外部数据总线上稳定出现所需的时间.显然,读出时间小于读周期时间.tCO (

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

源:外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样,不用自己去申请内存,也不用考虑什么内存地址,一切让编译器自己去解决. 废话不多说,我直接拿原子哥的战舰开发板库函数版的外部SRAM实验来修改.在库函数的system_stm32f10x.c这个初始化文件当中其实就已经有外部SRAM的初始化,我们只要增加“#define DATA_IN_ExtSRA

静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器.在SRAM 存储阵列的设计中,经常会出现串扰问题发生.那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰,以及提高SRAM的可靠性呢,下面宇芯来简单介绍. 设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analog Environment的仿真波形图.当地址产生变化,由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲,当V1脉冲生成时,作为灵敏放大器输入端电位平衡的控制信号,缩短了预充时间,大大提高了读取速度.V2 作为位线预充电路的控制信号,

前言 上一篇Jlink系列文章介绍了如何使用J-Flash来下载Hex或Bin文件到单片机,具体可参考Jlink使用技巧之单独下载HEX文件到单片机,本篇文章介绍,如何使用JFlash来读取单片机的程序,学习单片机程序文件的读取,不是为了破解别人的程序,而是学习破解的原理,从而更好保护自己的程序不被破解,希望大家也能尊重他人的劳动成果. JFlash的下载和安装 首先,安装JFlash软件,安装完成后,会默认安装JLink驱动程序,主要包含以下几个工具: JFlash,主要用于程序下载和读取.

复制并修改原有项目 复制之前创建的项目CC+CV操作 需要改动的地方: * 项目名字 * 应用包名 * R文件重新导包 接着修改件/AndroidManifest.xml中的包名:package="com.wuyudong.rwinrom" 简单起见直接改为package="com.wuyudong.rwinrom2" MainActivity.java在的R报错,鼠标指向引入当前包即可搞定 接着修改strings.xml中的app_name <string

_____________________________________ 深入交流QQ群: A: 204255896(1000人超级群,可加入) B: 165201798(500人超级群,满员) C: 215053598(200人高级群,满员) D: 215054675(200人高级群,满员) E: 215055211(200人高级群,满员) F: 78538605 (500人高级群,满员) G:158560047(500人高级群,满员) H:103661446(可加入...) YY 群:71

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

STM32内部含有硬核,对于一些协议(例如:UART,SPI,IIC,CRC等)我们只要调用硬核就可以了,同时我们也可以自己写通信协议. 这些硬核最终肯定是要有引脚输出的,这就是为什么STM32的引脚有复用功能的原因. 以SPI通信协议硬核为例,其硬核连接的引脚是PA4,PA5,PA6,PA7,那么我们如果使用内部硬核就必须使用这几个引脚作为通信引脚 也可以自己编写SPI通信协议,此时的引脚就可以随意定义了. 通常一个引脚有好几种复用功能,在使用硬核时需要我们设置好引脚的寄存器,同时又不影响寄存

STM32的ADC采样时间与其ADC的时钟频率密不可分. 例:STM32F103系列的ADC的时钟是在APB2(最大72MHZ)上.我们可以对其分频: RCC_PCLK2_Div2: ADC clock = PCLK2/2   //72/2=36MHz RCC_PCLK2_Div4: ADC clock = PCLK2/4   //72M/4=18MHz RCC_PCLK2_Div6: ADC clock = PCLK2/6  //72M/6=12MHz RCC_PCLK2_Div8: ADC

内部存储读写 内容介绍 Android系统允许应用程序创建仅能够自身访问的私有文件,文件保存在设备的内部存储器上,在Linux系统下的/data/data//files目录中 Android系统不仅支持标准Java的IO类和方法,还提供了能够简化读写流式文件过程的函数 openFileOutput()函数 openFileOutput()函数用于写入数据, 如果如果指定的文件不存在,则创建一个新的文件 public FileOutputStream openFileOutput(String n

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习,但是在SRAM中调试所造成的影响就是断电的时候数据会丢失. 个人以STM32ZET6为例子,因为我的板子的芯片是ZET6的,不过设置除了地址空间不一样之外.其他都基本雷同. 首先,STM32的启动模式有三种, 在S

STM32的内部温度传感器和ADCx—IN16输入通道相连接.且温度传感器推荐采样时间为17.1us,支持的温度范围为:-40~125度,精度比较差,± 5℃左右. 计算温度值:T(℃) ={(V25-Vsense) /Avg_Slope}+25 V25=Vsense 在 25 度时的数值(典型值为: 1.43). Avg_Slope=温度与 Vsense 曲线的平均斜率(单位为 mv/℃或 uv/℃)(典型值为4.3Mv/℃).  ADC_InitTypeDef ADC_InitStructu

http://home.eeworld.com.cn/my/space-uid-716241-blogid-655190.html 一.I2C协议简介 I2C是两线式串行总线,用于连接微控制器及其外围设备.两根信号线分别是: 时钟信号线SCL和数据信号线SDA.   二.I2C总线传输时序 2.1 I2C传输协议的三种信号 I2C在数据传输过程中有三种信号类型,分别是:起始信号.结束信号和应答信号. ①起始信号:在时钟信号SCL为高电平时,数据线SDA由高电平跳变为低电平,开始传输数据: ②结束

文件读写操作* Ram内存:运行内存,相当于电脑的内存* Rom内存:内部存储空间,相当于电脑的硬盘* sd卡:外部存储空间,相当于电脑的移动硬盘在内部存储空间中读写文件>小案例:用户输入账号密码,勾选“记住账号密码”,点击登录按钮,登录的同时持久化保存账号和密码.界面如下: 1. 定义布局 代码如下: <LinearLayout xmlns:android="http://schemas.android.com/apk/res/android" xmlns:tools=&

时基单元 可编程高级控制定时器的主要部分是一个16位计数器和与其相关的自动装载寄存器.这个计数器可以向上计数.向下计数或者向上向下双向计数.此计数器时钟由预分频器分频得到. 计数器.自动装载寄存器和预分频器寄存器可以由软件读写,即使计数器还在运行读写仍然有效. 时基单元包含: ● 计数器寄存器(TIMx_CNT) ● 预分频器寄存器 (TIMx_PSC) ● 自动装载寄存器 (TIMx_ARR) ● 重复次数寄存器 (TIMx_RCR) 自动装载寄存器是预先装载的,写或读自动重装载寄存器将访问预

因为存为TXT可以实现,但是读取TXT里边的数据总是不尽如人意,所以,最终存为bin文件了. 先摘几个观点: http://www.openedv.com/posts/list/36712.htm “文本文件存储的都是ASCII内容,如果你以16进制格式显示出来,那就是ASCII的内码.” http://www.openedv.com/posts/list/58089.htm“ 你这种不要存.txt了,直接存.bin就是了.你先学会存一个字节数据,... ” stm32 Fatfs 读写SD卡(

STM32寄存器版本——内部时钟设置 同时要记得把延时初始化函数设置好 //系统时钟初始化函数 //pll:选择的倍频数,从2开始,最大值为16 //pll:选择的倍频数,这里使用内部时钟,PLL为4就是4分频 void Stm32_Clock_Init(u8 PLL) { unsigned ; MYRCC_DeInit(); //复位并配置向量表 // RCC->CR|=0x00010000; //外部高速时钟使能HSEON RCC->CR|=0x00000001; //内部高速时钟使能HS

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin