3.7v锂电池充电电路图(一) 1.锂电池的充电: 根据锂电池的结构特性,最高充电终止电压应为4.2V,不能过充,否则会因正极的锂离子拿走太多,而使电池报废.其充放电要求较高,可采用专用的恒流.恒压充电器进行充电.通常恒流充电至4.2V/节后转入恒压充电,当恒压充电电流降至100mA以内时,应停止充电. 充电电流(mA)=0.1-1.5倍 电池容量(如1350mAh的电池,其充电电流可控制在135-2025mA之间).常规充电电流可选择在0.5倍电池容量左右,充电时间约为2-3小时. 2.锂电池

http://tieba.baidu.com/p/2130455709 现在鼠标功能越来越强大,游戏鼠标的宏设置,办公鼠标的复制粘贴等.各位有没有给鼠标设置一些好玩.方便.搞怪.有意思的的功能的呢?笔者就g11-580hx 示范:双飞燕同步灵无线锂电鼠G11-580HX有强大的功能设置,更有牛叉的一键16雕的功能,哈哈,看我是怎么玩G11-580HX的.设置在滚轮前方的一个伍灵键, 首次使用它是会弹出官网驱动的下载地址,下载办公飞梭高效软件.就可以实现五灵键的强大功能:截图编辑.会议讲师笔.一键

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Reverse Voltage Protection I've long wanted to pull together some reverse polarity protection ideas in one place. Many are found individually on the web, but seldom several in one place. A recent QRP-L thread prompted me to put together this page. I

DMA,全称为:Direct Memory Access,即直接存储器访问.DMA传输方式无需CPU直接控制传输,也没有中断处理方式那样保留现场和恢复现场的过程,通过硬件为RAM与I/O设备开辟一条直接传送数据的通路,能使CPU的效率大为提高. DMA设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．DMA时钟使能 2．DMA设置复位 3．设置DMA基地址,内存地址,输出方向参数 4．设置DMA数据大小,优先级,使用通道参数 5．DMA工作方式初始化 6．使能DMA 7．编写中断处理函数 前端采集模块

STM32 的通用定时器是一个通过可编程预分频器(PSC)驱动的 16 位自动装载计数器(CNT)构成.STM32 的通用定时器可以被用于:测量输入信号的脉冲长度(输入捕获)或者产生输出波形(输出比较和 PWM)等.使用定时器预分频器和 RCC 时钟控制器预分频器,脉冲长度和波形周期可以在几个微秒到几个毫秒间调整. STM32 的每个通用定时器都是完全独立的,没有互相共享的任何资源. 通用定时器设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．定时器时钟使能 2．设置定时参数 3．定时器工作方式初始化

STM32F103C8T6拥有3个ADC,其独立使用已经在本文的3.1.3里面有详细的介绍,这里主要是介绍双ADC的同时使用,即STM32的同步规则模式使用.在此模式在规则通道组上执行时,外部触发来自ADC1的规则组多路开关(由ADC1_CR2寄存器的EXTSEL[2:0]选择),它同时给ADC2提供同步触发.此功能必须使用DMA通道.同时两组数据是公用一个寄存器,ADC1数据在低16位,ADC2数据在高16位.由于保证数据稳定,在双ADC同步规则模式的情况下,还添加了多通道同时采样. ADC1

两节锂电池出了充电电路外,必须搭配的也就是两节锂电池的保护板电路和芯片了.对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电.过放电和过电流进行保护.和电池反接保护功能,这些都是极其重要的. 首先设计两节锂电池保护电路,我们需要先根据实际要求和功能选定一款两节锂电池保护芯片,如HY2120,PL7022等.通过保护芯片来进行外围的设计. 两节锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值是由开关MOS管8205A8TS来决定的,如果觉得小,可以多个进行并联的操作,达到增大过流电流的应用. 对于两节锂电池保护

一.RS485总线介绍: RS485总线是一种常见的串行总线标准,采用平衡发送与差分接收的方式,因此具有抑制共模干扰的能力.在一些要求通信距离为几十米到上千米的时候,RS485总线是一种应用最为广泛的总线.而且在多节点的工作系统中也有着广泛的应用. 二.RS485总线典型电路介绍: RS485电路总体上可以分为隔离型与非隔离型.隔离型比非隔离型在抗干扰.系统稳定性等方面都有更出色的表现,但有一些场合也可以用非隔离型. 我们就先讲一下非隔离型的典型电路,非隔离型的电路非常简单,只需一个RS485芯

关于三节锂电池供电的产品,在三节锂电池上,需要三个电路系统: 1,三节锂电池保护电路, 2,三节锂电池充电电路, 3,三节锂电池输出电路. 1.三节锂电池保护电路,芯片电路图 控制三节锂电池池的充电电压,放电电压和过流保护等功能,和电解反接,输出短路保护等 2.三节锂电池充电电路 PW4053,输入5V,升压输出12.6V的三节锂电池充电管理芯片,1A: PW4203,输入15V-20V,降压输出12.6V的三节锂电池充电电流芯片,2A 3.三节锂电池输出电路 对于三节锂电池的输出来说,如果是D

三串锂电池的充电电压是三串锂电池的最高电压值,就是12.6V了.5V充12.6V是5V给三串锂电池充电.如笔记本的USB口5V给三串锂电池充电,如5V的适配器或者手机充电器插上数据线给三串锂电池充电电路充电. 5V升压12.6V三串锂电池充电IC电路. 5V输入,充12.6V输出.最大充电电流1A.主要是电路设计简单,容易上手. 5V升压12.6V电路图的物料BOM: 电感器:最低要CD45-4.7UH的.更大体积的电感和更好饱和电流的电感可以提高电路的效率和降低工作温度二极管:肖特基二极管,S

这款充电放电升压一体板,既能给锂电池充电,又能升压输出,深得我意.但是实际使用过程中,还是有一些需要自己改造的地方,今天我们就来详细记录一下. 1.基本参数及使用方法 2.TC4056/TP4056应用电路 这个模块使用的TC4056电源管理芯片来充电, 芯片资料:https://item.szlcsc.com/85219.html 网上一共有8种应用电路: 参考:http://www.elecfans.com/dianlutu/protect/20180326652343_a.html TP4

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

同志们,根据ALTERA官方FAE(现场应用工程师)的强烈建议,请注意不要随意带电插拔你的JTAG下载接口,否则会损坏FPGA芯片的JTAG口信号管脚.现象:在排除了下载线的问题后,还是不能访问FPGA的JTAG口,那么很有可能你的FPGA芯片的JTAG口已经损坏.此时请用万用表检查TCK,TMS,TDO和Tdi是否和GND短路,如果任何一个信号对地短路则表示JTAG信号管脚已经损坏.原因分析:我们经常为了方便,随意插拔JTAG下载口,在多数情况下不会发生任何问题.仍然有很小的概率因为热插拔而产

1 引言 目前,雪崩光电二极管(APD)作为一种高灵敏.能精确接收数据和测量光功率的光探测器件广泛应用于光纤传感.光纤通信网络中.它借助于内部强电场作用产生雪崩倍增效应,具有极高的内部增益(可达102-104量级).然而,APD随温漂的变化严重影响其增益的稳定性．甚至引起测量精度的恶化.理论上可以证明APD的增益是其偏压V和温度T的函数,二者共同决定APD工作时的增益,而且在维持APD增益比较恒定的条件下,其偏压和温度之间存在一定的关系.因此.可以控制APD的偏压使之随温度按一定的规律改变.这样

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

瞬态电压抑制器(TVS)具有响应时间快.瞬态功率大.漏电流低.击穿电压偏差小.箝位电压较易控制.无损坏极限.体积小等优点.目前已广泛应用于计算机系统.通讯设备.交/直流电源.汽车.家用电器.仪器仪表等各个领域.本文将结合TVS应用的特点及使用注意事项,介绍TVS的几种典型应用电路,并通过TVS在热插拔电路保护和汽车电源线保护中应用的实例,来详细探讨如何正确应用TVS和使TVS的应用效能最佳. 在实际的应用电路中,处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法,就是将瞬时电流从敏感器件引开.为达到这一目的,将T

异常掉电的隐患 若没有合理的掉电保护机制,而异常掉电的发生又不可避免,当发生异常掉电,会引发很多问题. (1)丢盘 异常掉电,会使得映射表来不及保存,丢失逻辑地址到物理地址的映射,待重新上电后,SSD将无法被BIOS识别.只能通过返厂维修解决问题,然而所谓返厂维修是通过重新开卡解决你的丢盘问题.重新开卡也就意味着所有用户数据的丢失! (2)丢失缓存中的数据 SSD一般都采用SDRAM或者DDR(也即DDR SDRAM)做缓存,其中SDRAM是非易失性存储介质,断电之后数据会丢失. (3)导致误判

STM32内部有一个完整的上电复位和掉电复位电路,当供电电压达到2v时系统即能正常工作. STM32内部自带PVD功能,用于对MCU供电电压VDD进行监控.通过电源控制寄存器中的PLS[2:0]位可以用来设定监控电压的阀值,通过对外部电压进行比较来监控电源.当条件触发,需要系统进入特别保护状态,执行紧急关闭任务:对系统的一些数据保存起来,同时对外设进行相应的保护操作. 操作流程:     1).系统启动后启动PVD,并开启相应的中断.     PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVD

点击阅读原文 目前为止,我接触单片机已有不少时日,从选择元器件.原理图.PCB.电路硬件调试.软件开发也算小有心得 .单片机软件开发里面第一步当属下载程序了,如果这一步都有问题,那么后面的一切便无从谈起,本人当初刚接触单片机时,对于下载电路方法及原理也是一头雾水.好在随着经验的积累以及自己的努力探求,现在对此问题算是有了点点自己的理解.故今天在此针对常用51单片机下载程序问题做下详解,以求新手们少走弯路.当然,有误之处还望各位指教! 原理:单片机的TXD.RXD是TTL电平,所以你得万变不离其宗