三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

!干货! 为设计指定输入驱动强度 set_driving_cell set_drive set_input_transition 本文转自:自己的微信公众号<集成电路设计及EDA教程> 里面主要讲解数字IC前端.后端.DFT.低功耗设计以及验证等相关知识,并且讲解了其中用到的各种EDA工具的教程. 考虑到微信公众平台上面发布的很多推文百度搜索不到,所以以后的推文也会在这里进行转载. 推文主要内容: 为设计指定输入端口驱动强度: set_driving_cell命令: set_drive命令:

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

三．下面分析一下高通的android2.3的代码中SD卡驱动的流程. 在kernel中,SD卡是作为平台设备加入到内核中去的,在/kernel/arch/arm/mach-msm/devices-msm7627a.c中: [cpp] view plaincopy static void __init msm7x2x_init(void) -> static void __init msm7x27a_init_mmc(void) -> msm_add_sdcc(1, &sdc1_plat

一.简述问题 当你用单片驱动发光二极管的时,你还感觉不到P0.P1口的差别.(10-20mA之间,当中P0驱动能力最强,但对于驱动直流电机依旧非常弱.其结果就是电机不转).那么有什么办法提高驱动能力吗?以下就来介绍本文的一种简单方法. 二.实验元件 NPN三极管:s8050  (管脚序列为:EBC)      元件介绍:http://baike.baidu.com/view/3467208.htm?fr=aladdin 推断方法:平面对着自己.三个管脚朝下,从左到右依次为 (E 发射极).(B基

一.LED汽车前大灯遇到问题.分析和解决 问题1: 当电源电压增大时,LED等闪烁,而且电源电压增大的越多闪烁的频率越低. 原因分析: 电源电压从12V升高到24V过程中,开关MOS管的Vds增大,Qg增大,Ichange增大.也就是说MG20U201的GATE输出电流过大,超过其内部电源所能提供的最大电流0.7mA. 由于驱动MOS管消耗掉MG20U201内部电源过多的电流,导致它工作一段时间(几十ms)电源电压就下降到极限值--正常工作的最小电压,MG201201开始断电停止工作,MOS管也

EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)即电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失(不挥发)存储芯片. EERPOM的基本结构有几种,这里讲解比较常用的FLOTOX管结构,如下图所示: FLOTOX(Floating Gate Tunneling Oxide)MOS管即浮栅隧道氧化层晶体管,它是在标准CMOS工艺的基础上衍生的技术. 如上图所示,在传统的MOS管控制栅下插入一层多晶硅浮栅,浮栅周围的氧化层与绝缘层

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

1.为什么A/D转换前需要采样保持电路,它的基本原理是什么? 因为被取样的信号是动态,随时改变的,而A/D转换需要时间,在这个转换的过程中,信号是变化的,为了弥补A/D转换的时间差,所以需要采样保持.如果A/D转换很快,比信号本身的变化快10倍或者更高,则无需保持电路. 1. MOS管工作原理--MOS管简介 MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管.MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一

初学嵌入式Linux,感觉需要学习的东西太多了.把学习过程中的收获和问题记录在这里,算是一份经验吧.     前面利用开发板带的现成的东西step by step让Linux 2.4.19在开发板上跑起来了,对于开发的流程也有了一定的认识.现在想对每一步进行详细深入的探讨,好好学习一下,把笔记记录下来,省得忘记了.有些内容是从看过的书中摘要过来的,大部分是自己实践后的心得.我想记得详细点,也好为后面总结打好基础. 先谈一下对于嵌入式开发流程和嵌入式开发环境拓扑结构的认识. 刚开始比较盲目,看得书

ROM与RAM 简单的说,一个完整的计算机系统是由软件和硬件组成的.其中,硬件部分由中央处理单元CPU(包括运算器和控制器).存储器和输入/输出设备构成.目前个人电脑上使用的主板一般只能支持到1GB的内存,即使是INTEL目前最高阶的450NX芯片组也只能支持到4GB. 存储器包括主存储器(Main Memory)和辅助存储器(Auxiliary Memory).单片机中,RAM主要用来保存数据.中间结果和运行程序等,所以也把RAM叫做数据存储器.1.RAM的分类 RAM又分动态存储器(DRAM

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS

原文链接点击这里 EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)即电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失(不挥发)存储芯片. EERPOM的基本结构有几种,这里讲解比较常用的FLOTOX管结构,如下图所示: FLOTOX(Floating Gate Tunneling Oxide)MOS管即浮栅隧道氧化层晶体管,它是在标准CMOS工艺的基础上衍生的技术. 如上图所示,在传统的MOS管控制栅下插入一层多晶硅浮栅,浮栅周

http://www.cnblogs.com/spartan/archive/2011/05/06/2038747.html SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷 新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE

原文:http://blog.csdn.net/fg8181/article/details/2278100 内存在电脑中起着举足轻重的作用,一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE). 按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM).SIMM内存条分为30线,72线两种.DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线.DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用. 按内