NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测 https://www.cnbeta.com/articles/tech/830875.htm 全国产的 SSD 群联貌似是对岸的 不过不管怎么说 也是国产了.   2017年以来,随着NAND颗粒价格的大起大落,固态硬盘产品也出现了成倍的价格上涨和近期的大幅度下落.这背后与国际大厂的默契操盘有着躲不开的关系.NAND颗粒作为广泛引用于PC.移动设备和各类存储设备的重要基础产品,对各大产业的影响不言而喻.这也是为什么近两年中国会大力投资相关产

作者:范德成链接:https://www.zhihu.com/question/56251636/answer/157021710来源:知乎著作权归作者所有.商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处. 偶自打四年前用上Sandisk Extreme CZ80 32GB以后,使用的高速U盘全是内置SSD主控的了.比较: 金士顿 DataTraveler G2 32GB(非SSD主控):读取15MB/s,写入5MB/s. 东芝隼 32GB(非SSD主控) 读取:20MB/s,写入:开头15M

简单的说,黑片的概念主要用于芯片,白片的概念既用于芯片也用于闪存卡.黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品,没有打上工厂标和芯片型号的芯片,这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来,现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片,经过技术处理,做成产品,来降低他们的成本!白片比黑片好一点质量的,人为的给打上各种标!但不是真正工厂打的标!同时白片也可指白卡,也就是表面什么都没有打的闪存卡.一般闪存行业有黑片,白片,中性卡之说.所谓黑片,主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片,如K9K8G08U0A

1.转载:Optane Memory 2.构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,SLC.MLC和TLC三者都是闪存的类型 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大. 首先就要说说TLC是什么.简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒 SLC MLC TLC规格对比 TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是

之前我们发布过金士顿DT100 G3的黑片量产工具教程,因为白片的MPALL量产工具无法量产,所有版本的Phison_MPALL都爆红,最近出了新的白片MPALL V5.03.0A版本,所以试了一下结果成功了,先上图 可以看到这次量产的是东芝闪存颗粒,之前的是海力士的.具体量产教程如下:1.下载MPALL_F1_7F00_DL07_v503_0A2.打开文件夹中检测工具Getinfo v3.10.7.6,发现主控是PS2251-07,颗粒是东芝的TLC 3.打开文件夹中的MPALL_F1_7F0

导读 96层堆叠3D NAND闪存已经成为行业主流,包括西部数据这样的传统机械硬盘大厂,也在逐步普及96层闪存,并已经用于消费级SSD. 96层堆叠3D NAND闪存已经成为行业主流,包括西部数据这样的传统机械硬盘大厂,也在逐步普及96层闪存,并已经用于消费级SSD. 西数联合东芝在2017年推出了96层堆叠的BiCS4闪存,支持TLC.QLC颗粒,单颗容量256Gb-1Tb.西数最初出货的是256Gb TLC颗粒,用于U盘.存储卡等设备,如今又扩大范围. 在最新季度财报发布后,西数透露已经开始

//get 方式把id传到路由 <a href="/admin/reply/add/{{$comment -> id}}" class="btn btn-block btn-success">回复</a> //通过路由访问控制器 进而取得方法 Route::get('/admin/reply/add/{id}','Admin\CommentController@add'); //控制器里的方法 public function add(R

以下代码保存为utf8文本格式 环境:ActivePerl v5.16 built for MSWin32-x86 两个要调整的地方: for my $i (17..45) {  这里改成自己对应的页码,比如发了30页的闪存,就改成1..30 还有就是这部分改成自己对应的ID和密码,中文ID还未测试过 tbUserName=>"ID",tbPassword=>"密码", 抓取的结果参考截图: =info code: vicyang mail: @.com

导读 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.要是你需要在 Windows 系统,苹果的 OS X 系统或者 Linux 系统上加密以及访问文件,开源软件 VeraCrypt 提供绝佳的选择. 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.保护 USB 闪存盘里的数据,加密是一个聪明的方法,正如我们在使用 Microsoft 的 BitLocker 加密闪存盘 一文中提到的.但是

闪存ing.cnblogs.com是博客园类似推特.饭否的服务, 我写了以下程序可以完成发闪存的操作,目的是顺便练习使用requests库. requests是一个python 轻量的http客户端库,与比python的标准库优雅很多. 使用以下命令安装requests pip install requests 抓包工具中看到的http头和cookies会多很多项,其中一些是可以省略掉的.比如我省略掉了Content-Length. """ python3使用requests

最近来博客园喜欢去闪存上看看,也就是一个类似微博的东西,但是貌似没看到哪里有这个按钮. 所以只要自己动手搞一个. 暴力猴js: // ==UserScript== // @name fwindpeak 闪存 // @include http://fwindpeak.cnblogs.com/* // @grant none // ==/UserScript== function addli() { var ul=document.getElementById("navList"); va

一直以来,大家对手机的配置方面都比较关注CPU和GPU的架构.频率.核心数等,却经常忽略了手机闪存的速度.实际上手机的闪存素质对手机日常操作的响应.载入速度同样起到举足轻重的影响,今天给大家介绍的则是一款可以测试手机闪存速度的应用——A1 SD Bench. A1 SD Bench是一款可以测试手机内置闪存.外置TF卡.外置储存设备.RAM速度的应用,在Google Play上即可搜索到,考虑到最近“网络环境”比较封闭,我们这里也提供下载链接:猛击这里(如假包换Google Play下载的最新2

在嵌入式系统中,NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品.虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案,但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一. 未来闪存产品具有快速发展的趋势,可以发现,闪存产品从低密度.低性能.低功能的发展特点转变为高密度.高性能.高功能的发展特点.Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子.医疗设备.通讯设备.机顶盒等. SPI Flash特性 SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪

iPhone6自从发布以后一直又不少的诟病和非议,比如一机难求,容易掰弯,程序崩溃等, 甚至传出了苹果将要召回这些问题设备,最近有人终于查出了iPhone6安装大量程序后崩溃的原因,原因就是大容量的iPhone6尤其是128GB和部 分64GB版本采用了廉价的TLC闪存.那么怎么检测自己的手机是否采用了TLC闪存呢? 检测之前需要将自己的手机进行越狱,同时安装Cydia,电脑端下载iFunbox工具即可,具体方法如下: 1.在已越狱的iPhone 6/6 Plus上,进入Cydia搜索安装Ope

闪存主要是由闪存芯片.主控芯片.晶振.PCB板等部件组成的.其中主控芯片相当于闪存的“灵魂”,它控制着闪存的工作.主控芯片也是处理单元,在里面写入的程序对整个电路做控制.主控IC是把flash跟host 连接的桥梁,它可以决定flash的可用空间,还有LBA <-->PBA,平均抹除.耗损均衡等算法的实行.

前面说过,闪存的读写单位为页,而页的大小一般为4KB或8KB,但我们的操作系统读写数据是按HDD的扇区尺寸进行的(512Byte(字节)),更麻烦的是闪存擦除以块作单位,而且未擦除就无法写入,这导致操作系统现在使用的文件系统根本无法管理SSD,需要更换更先进.复杂的文件去解决这个问题,但这样就会加重操作系统的负担.       而为了不加重操作系统的负担,SSD采用软件的方式把闪存的操作虚拟成磁盘的独立扇区操作,这就是FTL.因FTL存在于文件系统和物理介质(闪存)之间,操作系统只需跟原来一样操

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的

与前两代Momentus XT产品不同,希捷称第三代混合硬盘所使用的技术更接近真正的SSHD(Solid State Hybrid Disk?),而不是HHD.也就是说更偏向于固态硬盘.首先它不会属于Momentus XT系列,至少不会是Momentus品牌.希捷似乎有意将其宣传为笔记本电脑SSHD.台式机SSHD或是笔记本轻薄SSHD,这就让人听得一头雾水.至于为什么希捷要放弃原有的Momentus XT之名,公司并没有给出任何关于这方面的解答. 那么,为什么希捷选择了8GB作为标准的闪存容量

使用两种适配器来定义消息传递给Flasher后的行为: (1)Phalcon\Flash\Direct:直接输出传递给flasher的消息 (2)Phalcon\Flash\Session:将消息临时存放于会话中,以便消息可以在后面的请求中打印 出来 (如果你正在使用 Phalcon\DI\FactoryDefault , 那么 Phalcon\Flash\Direct 将会作为 “flash” 服务自动注册) 使用情况:(取决于发送消息后重定向的类型) (1)转发:使用直接闪存 $this->