性能优化的原则 1.避免过早优化:太早优化将使代码难以设计和维护,最好是针对程序的瓶颈进行优化. 2.改进性能有时需要权衡:不能一味注重改进性能,一个项目要考虑各方面的利弊,比如代码的健壮性,结构性,扩展性,可读性,执行效率等等. 把耗费CPU的计算分成小而独立的段 参见:http://www.senocular.com/flash/tutorials/asyncoperations/ Flash平台是一个单线程的平台,它不支持多线程.它运行在一个循环中,以划分的“帧”为单位进行处理.帧的执行又

W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家讲的是存储器大厂Micron的NOR Flash芯片特殊丝印设计(FBGA代码). 痞子衡之前写过一篇文章 <J-Flash在Micron Flash固定区域下载校验失败的故事>,这篇文章里提及了 Micron 家的串行 NOR Flash 与其他厂商不一样的地方(存储容量 128Mb 起步.没有 QE 概念等),但其实 Micron 的 Flash 还是一个最显眼的差异设计,那就是芯片丝印并不直接体现芯片的产品型号(Part Numbe

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

转自:http://blog.csdn.net/gao5528/article/details/6256119 三星DRAM+NAND FLASH 合成MCP芯片介绍及应用攻略(K5系列产品篇) 一年前本人编写了一篇关于三星MCP芯片全攻略的文章,介绍了三星所有类型的MCP芯片的基本构架与市场应用,让很多从事手机研发以及通讯电子类产品的工程师增进了对这种合成芯片的了解.今天要介绍的产品是在上一篇文章的基础上,突出重点介绍一下ND产品,也就是DRAM+NAND这种制成的MCP的架构,选型注意点,三

开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH

所谓提高flash的擦写次数,并不是真正的提高flash擦写次数,而是通过以"空间换时间"概念,在软件上实现“操作的次数大于其寿命”.详见链接: http://bbs.eeworld.com.cn/thread-235786-1-1.html  

智能设备逆向工程之外部Flash读取与分析篇 唐朝实验室 · 2015/10/19 11:19 author: rayxcp 0x00 前言 目前智能家居设备的种类很多,本文内容以某智能豆浆机为例完成对其的固件提取和分析. 究其分析内部逻辑的原因可能会有很多种,和安全相关的原因主要有: 了解设备内部运行逻辑,逆向后有条件更改原有逻辑 通过逆向后的代码找到可利用的漏洞或原有隐藏功能 0x01 读取Flash 首先,准备好螺丝刀,镊子等工具.把设备拆解.取出设备主控板.如下图: 正面,其中红圈所在的

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需

本文简要介绍一下本人在Cortex-M3系统的STM32F10x芯片上开发的一个日志文件系统(与其说是系统,不如说是小小的库).该库的特点是将在STM32F10x芯片上处理数据(历史记录)变得简单可靠.因为我所做的项目基本上都为监控系统,需要记录各种各样的日志,并可随时上传至中心服务器.利用该库就可以很容易的使用该接口完成数据的初始化.读取.写入和删除.而且随着该库的应用,稳定性也得到了验证,应用到其它项目中也更有底气了.本库分两部分,一部分支持内部FLASH,一部分支持外部FLASH.由于硬件

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

一.软件与硬件平台 软件平台: 操作系统:Windows 7 64-bit 开发套件:ISE14.7 硬件平台: FPGA型号:XC6SLX45-CSG324 QSPI Flash型号:W25Q128BV 二.背景介绍 在FPGA开发过程中,如果我们把bit文件下载到FPGA中,那么当FPGA掉电以后,bit文件就丢失,再次上电的时候,代码就不会运行了.如果想掉电以后,代码还可以运行,那么必须把编译好的文件下载到外部的QSPI Flash中.当文件下载到外部的QSPI Flash中以后,由于QS

1.2.1. 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

转;http://openedv.com/thread-81182-1-1.html                           http://www.sohu.com/a/112676146_465915 一. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory), 随机存取存储器.是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫内存.它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介, 当电源关闭时RAM不

转自:http://blog.51cto.com/hardywang/2053915 NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持.关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解,大家可以参考文章闪存技术最全面解析.今天主要讨论下NAND Flash生产过程.架构和关键指标. NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的,硅材料被加工成晶圆(Wafer),一片