三极管反向电路,DR16的接收机接收的信号是反向的 电路描述:VEE为低电平时NPN三极管Q1截止,A点为高电平:VEE为高电平时NPN三极管Q1导通,A点为低电平:从而实现了电平反向.阻R1作用是在三极管导通后,Vbe电压钳位在0.7V,R1上分担剩余电压.电阻R2作用是提高高电平导通门限阈值,不加R2,0.7V即可导通,抗干扰能力差.加了R2,导通电压到1.7V.电阻R3作用是三极管导通后限制Ice电流,防止Ice电流过大烧坏三极管.该电路不适用于大电流负载,仅适用十几毫安到几十毫安负载的电

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

每每以为攀得众山小,可.每每又切实来到起点,大牛们,缓缓脚步来俺笔记葩分享一下吧,please~ --------------------------- 9.2 估计功能 eviews9.0下载链接:[软件] EViews 9 的时代已经来临!(附安装包.升级包.破解补丁.教程) 一.自回归分布滞后模型 EViews 9提供了ARDL,自回归分布滞后模型的工具,变量包括了滞后变量和常规解释变量. 其中,EViews 9有三大新功能: 内置了滞后阶数的选择:协整估计:长期趋势的Bounds检验.

本文详细学习Lifted ElGamal 门限加密算法 门限加密体制 (1)门限加密是可以抗合谋的 (2)表现在私钥分为\(n\)份,至少需要\(t\)份才能解密成功,叫做(t-n)门限.类似于"秘密分享". ElGamal算法 (1)源自[A public key cryptosystem and a signature scheme based on discrete logarithms]给出了加法和乘法同态性的定义,其中加法同态只能用于小的明文域. (2)\(G\)是阶为\(p

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

精选: 1.问题的提出 2.需求的抽象: 有一个秘钥S,转换成另一种数据数据形式,分配给12个人(s1,s2,.......,s12),使得任意3个人的数据拼凑在一起就可以反向计算出秘钥S. 3.解决思路: 平面内,3点可以确定一条抛物线.抛物线的方程式为:y = a0 + a1·X + a2·X².如果,将秘钥S藏到抛物线的方程式中(令a0 = S),再取出抛物线上的不同位置的12个点坐标(x1,y1),(x2,y2),......,(x12,y12)分配给12个人,那么,只要获取3个人的点位

本文为我负责编写的电子工业出版社出版的<嵌入式系统原理与接口技术>一书第七章部分,这里整理的仍然是修改稿,供需要的同学参考,本书为普通高等教育"十二五"规划教材,电子信息科学与工程专业规划教材,如果你对本书的内容感兴趣,可以通过各渠道购买. 由于博客排版比较麻烦,部分地方可能还有点混乱,后续的电子版整理可以关注本博客,也欢迎各位针对书中内容提出建议或意见.   第7章 嵌入式系统接口应用基础 7.1嵌入式系统的接口类型 根据数据的通信形式,嵌入式系统接口可以分为串行数据传输

open-drain与push-pull] GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull). 对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下: 图表 1 Push-Pull对比Open-Drain   Push-Pull推挽输出 Open-Drain开漏输出 原理 输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通 .Q2截止时输出高

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

背景:在使用STM32调试MX64舵机时,由于控制该舵机需要采用RS485通信协议,因此需要从单片机的串口经过一个TTL转485通信的模块再与舵机进行通信. 485通信特点: 485通信采用差分信号:可以抑制共模干扰.尤其当工业现场环境比较复杂,干扰比较多时,采用差分方式可以有效的提高通信可靠性.RS485 采用两根通信线,通常用 A 和 B 或者 D+和 D-来表示.逻辑"1"以两线之间的电压差为+(0.2~6)V 表示,逻辑"0"以两线间的电压差为-(0.2~6

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.(General Purpose Input Output,简称为GPIO或总线扩展器,利用工业标准I2C.SMBus?或SPI?接口简化了I/O口的扩展.当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口,或当系统需要采用远端串行通信或控制时,GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能.)但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull).对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一

主要内容: StOMP的算法流程 StOMP的MATLAB实现 一维信号的实验与结果 门限参数Ts.测量数M与重构成功概率关系的实验与结果 一.StOMP的算法流程 分段正交匹配追踪(Stagewise OMP)也是由OMP改进而来的一种贪心算法,与CoSaMP.SP算法类似,不同之处在于CoSaMP.SP算法在迭代过程中选择的是与信号内积最大的2K或K个原子,而StOMP是通过门限阈值来确定原子.此算法的输入参数中没有信号稀疏度K,因此相比于ROMP及CoSaMP有独到的优势(这句话存在疑问)

前言 CUbieboard2板载两个LED,一个绿色的,一个蓝色的,其中绿色LED通过三极管与PH20管脚连接,蓝色LED通过三极管与PH21管脚连接,这里只以蓝色LED为例,电路原理图如图1和图2所示. 图1 LED所使用的管脚 图2 LED与三极管连接图 由此可知,当PH21输出高电平时,三极管处于导通状态,从而蓝色LED会被点亮:当PH21输出低电平时,三极管处于截止状态,蓝色LED熄灭. 一.目的 编写第一个裸机程序,点亮板载的蓝色LED. 二.源代码说明 程序很简单,已给出详细注释,直

作者:crifan (http://bbs.chinaunix.net)邮箱:green-waste@163.com [Open-Drain与Push-Pull]GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.(General Purpose Input Output,简称为GPIO或总线扩展器,利用工业标准I2C.SMBus™或SPI™接口简化了I/O口的扩展.当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口,或当系统需要采用远端串行通信或控制时,GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能

按常规,在51端口(P1.P2.P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止.一般情况是这样,也有例外.所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定:另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET).使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况.当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平:当和锁存器相连的FET由截止至导通时,

很多网友都问我AT89S51的P0口为什么要接一个上拉电阻.我就用一个篇幅来说一说 P0口和其它三个口的内部电路是不同的,如下图 P0口是接在两个三极管D0和D1之间的,而P1-P3口的上部是接一个电阻的.P0口的上面那个三极管D0是在进扩展存储器或扩展总线时使用MOVX指令时才会控制它的导通和截止,在不用此指令时都是截止的.在平常我们使用如:P0_1=0 P0_1=1这些语句时控制的都是下面那个三极管D1. 我们先假设P1口接一个74HC373,来看一看它的等效图 当AT89S51的P1口上接

具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET(T1),这些器件可以用于电平转换的应用.输出电压由Vcc'决定.Vcc'可以大于输入高电平电压VCC(up-translate)也可以低于输入高电平电压VCC(down-translate). 开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用.但是,这种电平转换的方法存在一些缺点.例如,当输出电平为低时,N沟道三极管是导通的,这样在Vcc'和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻Rpullup和三极管T1.这会影响整个系统的功耗

Arduino周边模块:执行部件 Arduino周边模块:执行部件 嵌入式系统的构成 如今已经有各种各样的基于Arduino的嵌入式系统, 比如:智能小车.3D打印机.机器人,甚至还有基于Arduino的开源人造卫星 但是光有Arduino,就像一个人只有大脑,没有四肢也是什么也做不到的 因此, 控制代码+Arduino+执行部件=改变世界的力量 常用的执行部件: 1.舵机-------->机器人2.直流电机----->智能小车3.步进电机----->3D打印机 使用Arduino输出P