目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节

转 http://blog.csdn.net/linweig/article/details/5556819 flash连接CPU时,根据不同的数据宽度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位.为什么要偏1位? 从软件和CPU的角度而言,一个地址对应一个字节,就是8位数据.这是肯定的,不要怀疑这点. 对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修

1.SPI FLASH的基本特征 本文实现用FPGA来设计SPI FLASH,FLASH型号为W25Q128BV.支持3种通信方式,SPI.Dual SPI和Quad SPI.FLASH的存储单元无法写入bit 1,只能写入bit 0,所以写入数据之前要将原来的数据擦除(FFh),遇到写入bit 1的情况不作处理.W25Q128BV的特征为如下图所示: 2.SPI FLASH的基本结构 W25Q128BV由Block0~Block255共256个Block组成,容量大小为256*64KB=256

1.nor硬件介绍: 从原理图中我们能看到NOR FLASH有地址线,有数据线,它和我们的SDRAM接口相似,能直接读取数据,但是不能像SDRAM直接写入数据,需要有命令才行 1.1其中我们2440的地址线共有27根(LADDR0~26),为什么是27根? 因为2440共有7个bank内存块,每个bank=128MB=(2^27)B,所以共有27根数据线 1.2为什么Nor Flash的地址线A0是接在2440的LADDR1上? 因为Nor Flash的数据共有16位,也就是每个地址保存了2B数

学习目标: 1.了解nor flash存储芯片的概念和特性 2.掌握使用s3c2440芯片对外挂的nor flash进行读写擦除操作 1.NOR Flash的简单介绍 NOR Flash最早是由Intel公司于1988年开发出的,是现在市场上两种主要的非易失性存储器之一,它的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Progr

转载:https://blog.csdn.net/weiweiliulu/article/details/23666717 1.M25P16概述     M25P16是一款带有先进写保护机制和高速SPI总线访问的2M字节串行Flash存储器,该存储器主要特点:2M字节的存储空间,分32个扇区,每个扇区256页,每页256字节:写入1页数据所需时间为1．4 ms(典型值):能单块擦除和整块擦除:2．7-3．6 V单电源供电电压:SPI总线和50 MHz数据传输时钟频率:每扇区擦写次数保证10万次.

有不少人问到:flash连接CPU时,根据不同的数据宽度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位.为什么要偏1位? (全文有点晦涩,建议收藏本文对照着1期MMU视频阅读) 从软件和CPU的角度而言,一个地址对应一个字节,就是8位数据.这是肯定的,不要怀疑这点. 对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是"读/写操作时,最小的数据单元"──别说最小单元是"位",一般设备上没有单独的"位操作&qu

 为了cpu访问外部设备,ARM提供一个存储管理器部件,提供访问外部设备的所需的信号(对SDRAM.网卡.nor等设备进行初始化,以便存储器管理器配合CPU进行与外设数据通讯).   CPU通常读写一个外设仅仅发出地址,它不仔细过问其中的任何过程,地址发出后就交给了存储管理器,存储管理器就会根据地址判断是什么设备,并负责数据操作,把CPU想操作的数据反馈给CPU:      S3C2440对外引出27根地址线ADDR0-ADDR26,因此从地址线数目来看S3C2440对外访问的范围只有128MB

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)     NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实

http://blog.chinaunix.net/uid-25544300-id-3281847.html GB    Unicode  UTF-8     Chinese Character Code  code# Code      (coded in UTF-8) D2BB  4E00  E4 B8 80  一   B6A1  4E01  E4 B8 81  丁   C6DF  4E03  E4 B8 83  七   CDF2  4E07  E4 B8 87  万   D5C9  4E0

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册>.<STM32F76xxx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议介绍>文档的内容学习. 关于FLASH存储器,请参考“常用存储器介绍”章节,实验中FLASH芯片的具体参数,请参考其规格书<W25Q128>来了解. 24.1  QSPI协议简介 QSPI是Queued SP

第24章     SPI—读写串行FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议

STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,flash芯片为MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E,64Mbit. SPI应该是嵌入式外围中最简单的一种应用了吧!一般SPI应用有两种方法:软件仿真,手动模拟产生时序和应用主控芯片的SPI控制器. 一般采用第二种方法比较好,比较稳定.应用主控芯片的SPI控制器,要点:正确的初始化S

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

64兆位串行SPI FLASH存储器 1.常规介绍 W25Q64BV(64兆位)串行FLASH存储器为一个空间大小,引脚,功耗限制的系统提供解决方案.25Q系列的灵活性和性能良好超越了普通的串行FLASH设备.该芯片是理想的代码跟踪到RAM,通过两路或四路SPI(XIP)直接执行代码来存储声音,文字,数据等,只需要一个2.7V到3.6V的供电,在活跃状态是电流消耗可以低至4mA,掉电模式下可以低到1uA.所有的设备都提供节省面积的封装. W25Q64BV拥有32768页的可编程阵列(每页可写25

Nor Flash和Nand Flash的不同: 类型 NOR Flash  Nand Flash  接口 RAM-like,引脚多 引脚少 容量 小(1M.2M...) 大(512M.1G) 读 简单 复杂 写 复杂 复杂 价格 贵 便宜   无坏块.位反转 有位反转.坏块   存储一些重要的文件 可以出错的文件比如视频 xip 可以 不可以 使用uboot来体验nor Flash操作.(Nor的A0接到Soc的A1上.所以地址应该左移1位.) 1. 读数据(NOR Flash可以像内存一样直

Take SAMSUNG K9F1G08U0E for example, and use S3C2416, Windows CE5.0 platform. 要让Flash工作起来,包括两部分: Flash器件控制和CPU端的Flash控制器.Flash端一般只要把相应的脚位和CPU端连起来就可以通过CPU端的相应控制寄存器对Flash设备进行控制读写数据了.当然也有一部分CPU是不带Flash控制器的,这种情况下就要根据Flash的操作时序等进行控制了. [1]Flash工作准备 1.确认硬件连

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),