最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在

转自:https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145 版权声明:请注明转载自Christa_RJ https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据

NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据 在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下

<1>SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.我的建议是 64G 的选择MLC 因为寿命

slc mlc tlc SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.我的建议是 64G 的

转自:https://blog.csdn.net/fc34235/article/details/79584758 转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html 从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙. 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC. TLC是什么? 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的

参考 1.http://www.upantool.com/jiaocheng/qita/2012/slc_mlc_tlc.html 2.http://www.2ic.cn/html/10/t-432410.html 3.http://kms.lenovots.com/kb/article.php?id=15382 4.http://www.albertknight.com/222.html 5.http://ssd.zol.com.cn/371/3716632.html 6.这个图比较多 htt

1.转载:Optane Memory 2.构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,SLC.MLC和TLC三者都是闪存的类型 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大. 首先就要说说TLC是什么.简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒 SLC MLC TLC规格对比 TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是

SLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高.容量小.速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢.MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍.不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存. 存储单元分为两类:SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-L

本文转载自:https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/79310316 1.一块SSD由主控.DRAM缓存和NAND闪存三种芯片所组成,主控是SSD的大脑,SSD所做的东西全部都是它所控制的:DRAM缓存则是高速缓冲区,具体作用要看主控的算法而定,有些是用来放LBA表的,有些则是拿来做数据缓存的,更有些方案是没有外置DRAM缓存,只在主控内置了小量缓存,这样做的目的有些是为了数据的安全性(如SandForce),有些则是为了降低成

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命: MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命. 结论:SLC > MLC > TLC 目前大多数U盘都是采用TCL芯

固态硬盘凭借其存取速率超快等自身优势,被越来越多的电脑爱好者所青睐,并迅速普及到了广大用户的电脑中,因为固态硬盘与传统机械硬盘相比,确实在运行效率等方面有了质的提升,但是亦是美网络小编要提醒大家的是,购买固态硬盘不可盲目跟风,要确保在了解了固态硬盘的一些基本参数.信息后再入手,买东西还要货比三家的嘛,了解一些评判固态硬盘优劣的知识,起码不会让奸商轻易的蒙蔽我们,就拿固态硬盘的闪存芯片架构来说,什么是SLC.MLC.TLC?哪个好?它们的区别是什么?这些都需要我们去了解. 什么是SLC.MLC.T

近年来,高端笔记本及系列上网本越来越多的采用固态硬盘来提升整机性能,尽管众所周知固态硬盘除 了在正常的使用中带来更快速度的体验外,还具有零噪音.不怕震动.低功耗等优点,但大家对固态硬盘的寿命问题的担忧和疑虑却从来没有打消过,毕竟我们宝贵 数据安全性比任何东西都重要,我们用百度和google来搜索固态硬盘寿命想了解更多的实情时,却发现能看到的都是一些理论方面的介绍,难得一见真正的对 固态硬盘寿命进行测试并得出令人信服的数据的文章. 小编收到一款来自瑞耐斯(RENICE)厂家送测的32GB ZIF

前言 原创文章,转载引用务必注明链接.水平有限,欢迎指正. 本文使用markdown写成,为获得更好的阅读体验,推荐访问我的博客原文: http://www.omoikane.cn/2016/09/15/bbb_adv_settings/ 系统环境:Windows 7 Home Pentium x64|Deepin Linux 15.2 x64:Debian 8.5 On BBB Industrial 关于板载eMMC存储 关于eMMC存储的基本知识可以看我之前的文章<板载eMMC初探>,总而

目前所能见到的硬盘接口类型主要有IDE.SATA.SCSI.SAS.FC等等. IDE是俗称的并口,SATA是俗称的串口,这两种硬盘是个人电脑和低端服务器常见的硬盘.SCSI是"小型计算机系统专用接口"的简称,SCSI硬盘就是采用这种接口的硬盘.SAS就是串口的SCSI接口.一般服务器硬盘采用这两类接口,其性能比上述两种硬盘要高,稳定性更强,但是价格高,容量小,噪音大.FC是光纤通道,和SCIS接口一样光纤通道最初也不是为硬盘设计开发的接口技术,是专门为网络系统设计的,但随着存储系统对

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

Memories Scaling      其他的的半导体存储器的制程一般2年为一个升级周期,但是nand flash 存储器的制程升级周期和他们比起来只有1年.这种更快的制程升级导致SLC NAND的每一个bit的大小在2005年就超过了MLC NOR,可以参考图1.6. MLC NAND是到目前为止成本最低的半导体存储器即使相对于其他存储器接近于成本的价格,这主要是由于NAND的存储单元非常小并且使用了一个存储单元存多位数据的技术.   Multi-level 存储单元的概念     图1.

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可

作者:Younger Liu, 本作品采用知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议进行许可. EMMC与RAND的区别 说到两者的区别,必须从flash的发展历程说起,因为两者都属于flash的范畴. 1.     Flash发展历程 1.1          NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一

[转]http://www.wowotech.net/basic_tech/367.html 0.前言 eMMC 是 Flash Memory 的一类,在详细介绍 eMMC 之前,先简单介绍一下 Flash Memory. Flash Memory 是一种非易失性的存储器.在嵌入式系统中通常用于存放系统.应用和数据等. 在 PC 系统中,则主要用在固态硬盘以及主板 BIOS 中.另外,绝大部分的 U 盘.SDCard 等移动存储设备也都是使用 Flash Memory 作为存储介质. 1. Fl