本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM

DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G. 3.运行速度不同:DDR3内存运行速度要比eMMC快得多. 4.用途不同:eMMC主要用于数据存储,而

转自:https://www.cnblogs.com/debruyne/p/9186619.html DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G.

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

raw NAND: raw NAND即是一般的NAND Flash内存芯片,所有的ECC除错机制(Error Correcting Code).区块管理(Block Management).磨损均衡技术(Wear Leveling).Command Management.驱动程序等,都交给Host Processor处理,NAND Flash芯片就是一般储存的功能.raw NAND采用ONFI接口. Clear NAND: 新产品ClearNAND除了有NAND Flash芯片和控制芯片之外,将

简单来说:inand式sandisk公司做的一款符合emmc标准的一个emmc存储器! ----

ROM是Read Only Memory的缩写.RAM是Random Access Memory的缩写.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比S

处理器运行时要做大量的数据计算和交换,要求内存读写速度很快. NOR Flash读取快,写入慢,总线结构,能运行代码,价格贵. NAND Flash读取慢,写入快,非总线结构,不能运行代码,价格便宜. SDRAM读取和写入都很快,掉电不能保存数据,价格贵. 1.SDRAM+NAND Flash 是因为SDRAM快,NAND Flash便宜,现在最好的搭配. 2.NOR Flash + NAND Flash NOR Flash写入慢,NAND Flash便宜. 3.SDRAM + NOR Flas

转;http://openedv.com/thread-81182-1-1.html                           http://www.sohu.com/a/112676146_465915 一. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory), 随机存取存储器.是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫内存.它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介, 当电源关闭时RAM不

一. ROM(Read Only Memory)    ROM(Read Only Memory),只读存储器.用来存储和保存数据.ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取.即使是断电,ROM也能够保留数据. ROM也有很多种: PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM; EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM: EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写, 写入时间很长,写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器.特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是ONFI标准及SLC Raw NAND. NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND.Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种. Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP. 在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash.比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序:而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上). 恩智浦i.MX

转自:http://blog.csdn.net/loongembedded/article/details/41747523 2014-12-05 14:37 3599人阅读 评论(2) 收藏 举报 分类: Android Bootloader(68) Android 开发之 ---- bootloader (LK) LK是什么 LK 是 Little Kernel 它是 appsbl (Applications ARM Boot Loader)流程代码  ,little kernel 是小内核

预备知识:External Storage Technical Information 摘要: "The WRITE_EXTERNAL_STORAGE permission must only grant write access to the primary external storage on a device. Apps must not be allowed to write to secondary external storage devices, except in their

随着智能终端功能的越来越庞大,与之,硬件配置越来越高,开机时间却越来越长.人们在享受强大功能的同时,对冗长的智能终端的开机时间却越来越缺乏耐心. 为了"取悦"用户,需要提供较好的用户体验,那么就必须使得智能终端尽可能短的进入"可工作"状态.        本文中的"尽可能短的开机时间","开机优化"."开机时间优化"均表示同一个意思.        如果计划对linux系统进行开机时间优化,那么就必须熟悉l

Bootloader Project From OMAPpedia Jump to: navigation, search Contents [hide] 1 OMAP Bootloader Overview 2 OMAP Boot Sequence 2.1 SYSBOOT Pins 2.2 First Stage Boot 2.3 Second Stage Boot 3 x-loader overview 4 u-boot overview 5 Building the Bootloaders