STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

2010-10-08 22:26:00 A,nor flash与nand flash的一些区别 1)接口区别: NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据. 通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash.NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本. NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价.用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

1.SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种: 2.NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash: 3.SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种): 4.SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢. SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口.

1.Flash/Actionscript3 载入资源文件方法考 http://zengrong.net/post/1107.htm 2.使用Flash Professional CS5和Flash Builder 4组合动画和ActionScript http://www.infoq.com/cn/vendorcontent/show.action?vcr=1005 3.flash builder 在线帮助文档 http://help.adobe.com/en_US/Flex/4.0/Using

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla

[Nor Flash] Nor Flash的“读取”和RAM很类似,只要能能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据,但不可以直接进行“写”操作: Nor Flash的写操作,需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内的控制单元完成写操作: 在对Nor Flash进行写操作的时候,每个Bit可以通过编程由1变为0,但不可以由0修改为1: 为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作: 擦除操作会把Flash的一个Sector.一个Block或整片Flash的值修改为0xFF: Nor

他们四者相互独立 RAM掉电易失数据: RAM又分两种,一种是静态RAM,SRAM:一种是动态RAM,DRAM.前者的存储速度要比后者快得多,我们现在使用的内存一般都是动态RAM. DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率) 也就是DRAM的一种 ROM掉电不丢失数据. NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术, Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用

片内的ram用来存储启动代码,在2440初始化sdram之前,代码就在片内ram中运行.片内ram装载的是norflash中的内容,即u-boot. uboot放在norflash里,nandflash就存放的操作系统.所以norflash相当于电脑的bios,nanflash才是硬盘.sdram就是内存了 uboot是一级启动代码,即bootloader,用来加载操作系统(nandflash)到sdram并且执行,当然uboot还能格式化nandflash和安装新系统的功能.   追问 哎,新

1,从NANDFLASH启动时,在ARM上电时,ARM会自动把NANDFLASH前4K的内容拷贝到S3C2440内部SRAM中,同时把SRAM的地址映射到0X00000000.ARM上电后会从SRAM处开始运行. 2,从NOR FLASH启动时,因为NORFLASH接在bank0.地址映射是0X00000000.所以ARM上电后直接运行NORFLASH里的程序.此时S3C2440内部SRAM地址为0X40000000. 3,ARM上电启动都是从0X00000000开始运行.但是对于复位程序入口,

nor flash和nand flash差别 学习嵌入式有一段时间了,刚接触nor和nand时非常是迷惑.非要逼我写一篇博客才干记清楚. 首先他们都是存储设备.统称叫做flash memory.导致他们存在差异的原因肯定是硬件上的差异了.//好似男人和女人,先有硬件的不同.才发展出来生理上的不同 导致性能和用途不同根本原因(硬件):组成存储单元的逻辑器件,nor採用与非门.nand採用或非门. 事实上所谓nor和nand是基于不同的制造技术.按字面,nor是与非门.nand是或非门,就是做IC时