引言 我们在做那些判断与非门输入输出的时候,常常把输入端悬空和接大电阻作为高电平输入处理,比如下边这一例题: 很显然,我们无法直接从与非门逻辑图中看出其内部工作原理,那我们该如何分析呢?那肯定是去分析电路的输入负载特性曲线了.如下图所示: 其中R表示输入端接入的负载,ui表示负载上降落的电压,也表示与非门其中一端的输入电压. 分析一: 如图所示,在输入端口B处接一个电阻R,则Vcc,R1,VT1的基极与集电极和R构成一个回路,此时电阻R两端的电压可以表示为:U=R/(R+R1) * (Vcc-0

如下图所示,当ui输入低电平,电压表示数为0.3v,当ui输入高电平时,电压表示数为1.4v,分析如下 当ui=0.3 此时VT1导通,电流都从输入端流出,VT1的基极电位被钳位在1.0v(Ub1=0.3v+0.7v),那么电压表的示数就是1.0v-0.7v=0.3v. 当ui=3.6v 此时VT1的发射结反偏,属于截至状态,电流流向VT2,电压也都降落在VT2和VT5上,VT2和VT5导通,现在VT1的电位等于三个0.7v相加,即2.1v,此时电压表示数为2.1v-0.7v=1.4v. 所以在

TTL与非门(TTL推挽式与非门)是TTL集成逻辑门的一种,主要由三极管和二极管构成.如图(a)所示,它由输入级,中间级,输出级三部分组成.TTL与非门的优点在于输出阻抗低,带负载能力强,工作速度快.下面我们详细分析电路各部分功能. 规定输入输出电位小于0.8V为低电平,大于2V为高电平.电路三极管为NPN型,NPN型三极管(T1为多发射极NPN三极管)构造如图(b)所示,一般三极管有以下特性: ♦ 当VBE>0.7V时,称发射结施加正偏电压,三极管导通:当VBE<0.7V时,称发射结施加反偏

分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大.工作可靠性差.工作速度慢等许多缺点.1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路.由于集成电路体积小.质量轻.工作可靠,因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路.随着集成电路制作工艺的发展,集成电路的集成度越来越高. TTL信号是数字信号.CMOS传输门(Transmission Gate)是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路. 按照集成度的高低,将集成电路分为小规模集成电路.中规模集成

一.TTL集成门电路的结构1.总体结构 所谓TTL就是transistor transistor logic,就是说是由晶体管和晶体管之间构成电路. 2.    TTL集成门电路典型输入级形式 1)二极管与门输入 2)二极管或门输入 3)单发射级输入 跟随输入的同相关系 钳位二极管VD:左下角并有二极管,既抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲,又可以防止输入电压为负时,VT的发射极电流过大,起保护作用. 电路中经常有干扰信号,当A端出现了一个比较大的负极性脉冲的干扰信号,假设有-20V,那么压降V

reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二．C

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平:          输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V.在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V.最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V. 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V.而且具有很宽的噪声容限. 3,电平转换电路:          因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<＝＝>cmos 3.

一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V,Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上.CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh

 1.RS232电平 或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口 (RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 2.RS485电平和RS422电平 由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以它们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~ +6v:1 -2 ~ -6v:0 接收端 AB间的电压差 大于 +200mv  1 小于 -200mv  0 定义逻辑1为B>A的状态: 定义逻辑0

RS232.RS485和TTL 作为一个底层软件开发工程师,经常会碰到RS232.RS485和TTL这一类的问题. 之前总是碰到问题之后Google一下,把当下的问题解决了之后就不管了,过个一两天就忘得一干二净,结果后续每次都会碰到类似的问题,都是从零开始地去解决,这种方式看起来当时快速解决了问题,结果在后续的开发中浪费了更多的时间. 为了解决这个问题,博主决定一次性把这些东西给弄清楚 串行通信 串行通信是指 使用一条数据线,将数据一位一位地依次传输,每一位数据占据一个固定的时间长度. 其只需要

一.P0端口的结构及工作原理 P0端口8位中的一位结构图见下图: 由上图可见,P0端口由锁存器.输入缓冲器.切换开关.一个与非门.一个与门及场效应管驱动电路构成.再看图的右边,标号为P0.X引脚的图标,也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位,即在P0口有8个与上图相同的电路组成. 下面,我们先就组成P0口的每个单元部份跟大家介绍一下:先看输入缓冲器:在P0口中,有两个三态的缓冲器,在学数字电路时,我们已知道,三态门有三个状态,即在其的输出端可以是高电平.低电平,同时还有一种就是高

———————————————————————————————————————————— 常用库及部分元件名中英文对照表 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 原理图常用库文件: Miscellaneous Devices.ddb Dalla

一.P0端口的结构及工作原理 P0端口8位中的一位结构图见下图:   由上图可见,P0端口由锁存器.输入缓冲器.切换开关.一个与非门.一个与门及场效应管驱动电路构成.再看图的右边,标号为P0.X引脚的图标,也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位,即在P0口有8个与上图相同的电路组成. 下面,我们先就组成P0口的每个单元部份跟大家介绍一下: 先看输入缓冲器:在P0口中,有两个三态的缓冲器,在学数字电路时,我们已知道,三态门有三个状态,即在其的输出端可以是高电平.低电平,同时还有一种

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

51单片机I/O引脚IO口工作原理 一.51单片机管脚p0.p1.p2.p3口区别如下: 1.意思不同P0口作输出口用时,需加上拉电阻.P0口有复用功能.当对外部存储器进行读写操作时,P0口先是提供外部存储器的低8位地址,供外部存储器地址锁存器锁存,然后充当数据线,用于写出或读入数据.P1口.P2口

本来我真的不想让51的东西出现在我的博客上的,因为51这种东西真的太low了,学了最多就所谓的垃圾科创利用一下,但是想一下这门课我也要考试,还是写一点东西顺便放博客上吧. 这一系列主要参考<单片微机原理与接口技术>这本书的内容(这本书的特点就是废话特别多,中国式特色教科书),还有一点CSAPP,当然了还有老师的课件.   0. 机器码的表示 简单的原码,反码和补码的表示相信大家一定很熟了,下面我们来聊下BCD码的计算和IEEE标准的浮点数   BCD码的表示与计算: BCD码是用4位二进制码来

(1)引脚图 (2)功能表 (3)内部结构图 信号从2.3脚输入,反向偏置的光敏二极管受光照后导通,经过电流电压转换,输入到与门一端,与门另一端为使能端.由于输入信号为集电极开路,需要加上拉电阻.当使能端为高,LEDON时,输出为低电平. VCC最小输入电压为4.5V和最大输入电压为5.5V, 如果使用典型电路B,即可起到同向的作用,A为反向. Rf值的选取: 发光二极管正向压降为1.2-1.7v(典型1.4V),正向电流6.3-15mA,在典型值时,电阻约为90-220.当以B电路接,TTL电

一.Cortex M3的GPIO口特性    在介绍GPIO口功能前,有必要先说明一下M3的结构框图,这样能够更好理解总线结构和GPIO所处的位置. Cortex M3结构框图     从图中可以看出,GPIO口都是接在APB总线上的,而且M3具有两个AHB到APB桥,GPIO则直接接在AHB矩阵上,这样可以减少CPU和DMA控制器之间的竞争冲入,获得较高性能.APB总线桥配置为写缓冲区,使得CPU或DMA控制器可直接操作APB外设,而无需等待总线写操作完成. M3数字I/O功能:高速GPIO口

TTL电平的VIH/VIL一般是2V/0.8V,VOH/VOL一般是 2.4V/0.4V,不论是3.3V还是5V的TTL都一样的:CMOS的VIH/VIL一般是70%VCC/30%VCC,VOH/VOL一般是80% VCC/20%VCC,所以不同的电平不能互推!另外CMOS的速度比较快,一般的高速器件采用! 常见逻辑电平标准现在常用的电平标准有TTL.CMOS.LVTTL.LVCMOS.ECL.PECL.LVPECL.RS232.RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS.GTL.PGTL.C

N76E003最多支持26个可位寻址的通用I/O引脚,分成4组 P0 到 P3 .每一个端口有它的端口控制寄存器(Px).端口控制寄存器的写和读有不同的意思.写端口控制寄存器设置输出锁存逻辑值,读端口引脚的逻辑状态.所有I/O引脚(除P2.0)可以被软件独立配置成四种I/O模式中的一种.这四种模式是准双向模式(标准8051端口结构).推挽输出.输入和开漏模式.每一个端口通过两个特殊功能寄存器PxM1 和 PxM2来选择端口Px的I/O模式.下表指示如何选择Px.n的I/O模式.注意任何复位之后,