1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

可能无法完全导通,电流可能过小使导通所需时间变长,最终导致发热严重       回复 举报     csaaa DIY七级 3# 发表于 2016-7-12 14:11:59 直接驱动mos也没什么问题啊.但要满足mos的使用条件啊.你这问题没头没尾没图没条件没型号没电压谁知道为什么呢.     回复 举报     languifan DIY五级 4# 发表于 2016-7-12 16:25:36 MOD管的开启电压很高,一般的IC驱动电压没那么高.     回复 举报     老愚童63 DI

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

杰杰 物联网IoT开发 2017-10-12 大家好,我是杰杰.       今晚,设计电路搞了一晚上,终于从模电渣渣的我,把MOS管理解了那么一丢丢,如有写的不好的地方,请指出来.谢谢.       我带的师弟选的题目是  自动恒温控制的系统   ,打算用闭环的控制,对比继电器,MOS管更精确的控制一点.所以才用上MOS管. 在数字电路中使用三极管就可以做开关,但是一般是用于控制小信号.对于大电流,三极管发热会比较严重. mos管因为导通电子非常小,所以特别适合控制大电流的电路. 不会用mos

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

转:http://blog.csdn.net/zhouzhuan2008/article/details/11053877 目录 MTD总概述 MTD数据结构 MTD相关层实现 MTD,Memory Technology Device即内存技术设备 字符设备和块设备的区别在于前者只能被顺序读写,后者可以随机访问:同时,两者读写数据的基本单元不同. 字符设备,以字节为基本单位,在Linux中,字符设备实现的比较简单,不需要缓冲区即可直接读写,内核例程和用户态API一一对应,用户层的Read函数直接

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

LED恒流驱动IC汇总 2017年09月22日 11:29:01 阅读数:569 这几天在找LED恒流驱动芯片,无意间在LED网论坛上发现这个帖子,分享给大家! LED恒流IC芯片大盘点       韩国LDT LD1016  16位最大90mA LED屏幕.护栏灯管恒流驱动IC LD1048    48位内置PWM高灰阶LED恒流驱动IC LD1071  16位内置PWM高灰阶LED恒流驱动IC LD1018    高精度16(位间1.5%,片间3%)恒流驱动IC SIPEX SP6682  

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基于OMAPL138的Linux字符驱动_GPIO驱动AD9833(一)之miscdevice和ioctl 0. 导语 在嵌入式的道路上寻寻觅觅很久,进入嵌入式这个行业也有几年的时间了,从2011年后半年开始,我清楚的记得当时拿着C51的板子闪烁了LED灯,从那时候开始,就进入到了嵌入式的大门里面.嵌入式的学习从来没有停止过,中间也有无数的插曲和机缘巧合学会C++和Java,做一些好玩的应用.无论是嵌入式DSP也好,还是如今的嵌入式ARM,7年之久从来没有停止过.技术最大的好处就是,无论发展到什

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一 镜像的分层特性 在说docker的文件系统之前,我们需要先想清楚一个问题.我们知道docker的启动是依赖于image,docker在启动之前,需要先拉取image,然后启动.多个容器可以使用同一个image启动.那么问题来了:这些个容器是共用一个image,还是各自将这个image复制了一份, 然后各自独立运行呢? 我们假设每个容器都复制了一份这个image,然后各自独立运行,那么就意味着,启动多少个容器,就需要复制多少个image,毫无疑问这是对空间的一种巨大浪费.事实上,在容器的设计当

IIC驱动学习笔记,简单的TSC2007的IIC驱动编写,测试 目的不是为了编写TSC2007驱动,是为了学习IIC驱动的编写,读一下TSC2007的ADC数据进行练习,, Linux主机驱动和外设驱动分离思想 外设驱动→API→主机驱动→板级逻辑--具体的i2c设备(camera,ts,eeprom等等) 主机驱动:根据控制器硬件手册,配置SOC的I2C寄存器产生波形,这个不在我的研究范围之内 linux应用工程师不需要驱动和硬件的细节. linux驱动工程师:不需要考虑硬件!由BSP工程师提

转载自:http://bbs.dianyuan.com/article/20312-2 单片机的引脚,可以用程序来控制,输出高.低电平,这些可算是单片机的输出电压.但是,程序控制不了单片机的输出电流. 单片机的输出电流,很大程度上是取决于引脚上的外接器件.单片机输出低电平时,将允许外部器件,向单片机引脚内灌入电流,这个电流,称为“灌电流”,外部电路称为“灌电流负载”;单片机输出高电平时,则允许外部器件,从单片机的引脚,拉出电流,这个电流,称为“拉电流”,外部电路称为“拉电流负载”.这些电流一般是

转自:http://blog.csdn.net/lwj103862095/article/details/21545791 版权声明:本文为博主原创文章,未经博主允许不得转载. MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

一.LED汽车前大灯遇到问题.分析和解决 问题1: 当电源电压增大时,LED等闪烁,而且电源电压增大的越多闪烁的频率越低. 原因分析: 电源电压从12V升高到24V过程中,开关MOS管的Vds增大,Qg增大,Ichange增大.也就是说MG20U201的GATE输出电流过大,超过其内部电源所能提供的最大电流0.7mA. 由于驱动MOS管消耗掉MG20U201内部电源过多的电流,导致它工作一段时间(几十ms)电源电压就下降到极限值--正常工作的最小电压,MG201201开始断电停止工作,MOS管也