本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测. 校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含

nandflash ECC 原理记录. nand ECC 全称是Error Checking and correction. 该算法分为列校验和行校验. 列校验有下图所示: * 如上图所示, CP0 == 所有的 Bit0 ^ Bit2 ^ Bit4 ^ Bit6 CP1 == 所有的 Bit1 ^ Bit3 ^ Bit5 ^ Bit7 CP2 == 所有的 Bit0 ^ Bit1 ^ Bit4 ^ Bit5 CP3 == 所有的 Bit2 ^ Bit3 ^ Bit6 ^ Bit7 CP4 ==

1.为何需要分析? 最近一直接触这类驱动,如果对它的原理不懂的话,驱动调试会很麻烦!!!!!! 2.ecc? nand的纠错能力,目前有1位.4位和8位,也就是说在512字节中如果是4位的ecc那就可以纠正最多4个bit的错误,一般就是翻转的错误! 3.oob? 冗余区域,一般存放的是ecc纠错码,一般4位的ecc的纠错后需要的字节数为:4 bit ecc, per 512 bytes can creat 13 * 4 = 52 bit , 52 / 8 = 7 bytes ,就是需要7个字节的

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize  : 64B blocksize : 128K 关于ECC可以参考:http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html,其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似. 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC会自动计算出来

以TC58NVG2S3ETA00 为例: 下面是它的一些物理参数: 图一 图二 图三 图四 图五 图6-0 图6-1 说明一下,在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局,其中Data区域用于存放有效的数据,也就是我们可以通过类似read.write.pread.pwrite可以访问的区域,那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的,他们会自动跳过OOB区域,访问OOB区域需要借助特殊的命令. 简单说明一下:Data A(512B)对应的ECC

转:http://blog.csdn.net/zhouzhuan2008/article/details/11053877 目录 MTD总概述 MTD数据结构 MTD相关层实现 MTD,Memory Technology Device即内存技术设备 字符设备和块设备的区别在于前者只能被顺序读写,后者可以随机访问:同时,两者读写数据的基本单元不同. 字符设备,以字节为基本单位,在Linux中,字符设备实现的比较简单,不需要缓冲区即可直接读写,内核例程和用户态API一一对应,用户层的Read函数直接

http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都

前段时间,研究了一下4G的Nandflash驱动.手头上只有飞凌6410BSP自带的Nandflash驱动,该驱动不支持K9GAG08U0D(2G)和K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.所以就要先把这个Nandflash驱动搞成支持K9GAG08U0D(2G)的. 接下来要弄的就是支持K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.由于TE6410板子用的是K9GAG08U0D(2G)的Nandflash,所以先移植到支持这个Nandflash的,再进一步修改成支持K9LBG08

1.首先和前面的几个驱动程序相似,需要分配一个nand_chip结构体 s3c_nand = kzalloc(sizeof(struct nand_chip), GFP_KERNEL); 然后填充该结构体 /* 2. 设置nand_chip */ /* 设置nand_chip是给nand_scan函数使用的, 如果不知道怎么设置, 先看nand_scan怎么使用 * 它应该提供:选中,发命令,发地址,发数据,读数据,判断状态的功能 */ s3c_nand->select_chip = s3c24

一.概述 1.NandFlash NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,比如能达到256M,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口. 2.NandFlash和NorFlash对比 Nor/Nand Flash 的差别   Nor Nand 容量 1MB~32MB 16M~512MB XIP Yes No 擦除 非常慢(5S) 快(3ms) 写 慢  快 读 快 快 可靠性 比较高,位反转的比例小于NandFlash的10% 比较低,位

/****************************************************************************** Copyright (C), 2001-2011, DCN Co., Ltd. ****************************************************************************** File Name : nand.c Version : Initial Draft Author :

K9F2G08U0A是三星公司生产的总容量为256M的NandFlash,常用于手持设备等消费电子产品.还是那句话,搞底层就得会看datasheet,我们就从它的datasheet看起. 这就是 K9F2G08U0A的内部结构,具体的各个部件的介绍,就不详细介绍了,想了解的话可以参考伟东山的<嵌入式linux应用开发完全手册>. 现在就看一下重点的,NandFlash的存储单元的组织结构,K9F2G08U0A的存储单元的组织结构如下: 结合上面的图,我们现在来分析一下: NandFlash的存

目录 NandFlash学习 概述 原理图(K9F2G08U0C) 启动的引脚配置 命令概述 操作概述 Uboot下操作体验 ID与地址编码 时序初始化 程序设计 忙判断 基本操作 读NAND 擦除 写NAND 其他注意 title: NandFlash学习 tags: ARM date: 2018-10-27 20:18:48:59 --- NandFlash学习 概述 NAND是公用数据线和地址线的,所以是需要命令操作的 NAND和其他内存接口公用数据线,所以需要片选信号 NAND有位反转,

转自:https://www.cnblogs.com/PengfeiSong/p/6380447.html nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个blo

一.移植前的修改 1.1 include/configs/jz2440修改 原来的定义: 可以看出,要先定义CONFIG_CMD_NAND才能使能NANDFlash. 这个在我们文件中的82行有定义,所以不需要定义了. 将里面的S3C2410全部改为S3C2440: 1.2 drivers/mtd/nand/修改 拷贝s3c2410_nand.c 成  s3c2440_nand.c 在此目录的makefile中添加 s3c2440_nand.c 修改s3c2440_nand.c 文件,从boar