1.IIC EEPROM------容量小,采用的是IIC通信协议:用于在掉电时,存系统配置参数,比如屏幕亮度等.常用芯片型号有 AT24C02.FM24C02.CAT24C02等,其常见的封装多为DIP8,SOP8,TSSOP8等: 2.SPI NorFlash------容量略大,采用的是SPI 通信协议:用于存放程序和数据.程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行:可以单字节或单字编程,但 不能单字节擦除,必须以Se

W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家讲的是存储器大厂Micron的NOR Flash芯片特殊丝印设计(FBGA代码). 痞子衡之前写过一篇文章 <J-Flash在Micron Flash固定区域下载校验失败的故事>,这篇文章里提及了 Micron 家的串行 NOR Flash 与其他厂商不一样的地方(存储容量 128Mb 起步.没有 QE 概念等),但其实 Micron 的 Flash 还是一个最显眼的差异设计,那就是芯片丝印并不直接体现芯片的产品型号(Part Numbe

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

转自:http://blog.csdn.net/gao5528/article/details/6256119 三星DRAM+NAND FLASH 合成MCP芯片介绍及应用攻略(K5系列产品篇) 一年前本人编写了一篇关于三星MCP芯片全攻略的文章,介绍了三星所有类型的MCP芯片的基本构架与市场应用,让很多从事手机研发以及通讯电子类产品的工程师增进了对这种合成芯片的了解.今天要介绍的产品是在上一篇文章的基础上,突出重点介绍一下ND产品,也就是DRAM+NAND这种制成的MCP的架构,选型注意点,三

开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH

1.2.1. 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

智能设备逆向工程之外部Flash读取与分析篇 唐朝实验室 · 2015/10/19 11:19 author: rayxcp 0x00 前言 目前智能家居设备的种类很多,本文内容以某智能豆浆机为例完成对其的固件提取和分析. 究其分析内部逻辑的原因可能会有很多种,和安全相关的原因主要有: 了解设备内部运行逻辑,逆向后有条件更改原有逻辑 通过逆向后的代码找到可利用的漏洞或原有隐藏功能 0x01 读取Flash 首先,准备好螺丝刀,镊子等工具.把设备拆解.取出设备主控板.如下图: 正面,其中红圈所在的

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需

由于altera公司的epcsxxx芯片比较贵,所以一般用其它公司的spi flash芯片代替也可以.据AlteraFAE描述:“EPCS器件也是选用某家公司的SPIFlash,只是中间经过Altera公司的严格测试,所以稳定性及耐用性都超过通用的SPIFlash” 如ST 的M25P10-A, M25P40, M25P16 和 M25P64正好可以替代Altera 的EPCS1, EPCS4, EPCS16 和 EPCS64

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

来源:http://www.cypress.com Cypress官网,了解任何芯片都应该从它的官网入手,资料一定是最多最原始的,像Ronnie学习. Cypress’s EZ-USB® FX2LP™ (CY7C68013A/14/15/16A) is a low power, highly integrated USB 2.0 microcontroller. http://www.cypress.com/documentation/application-notes/an65209-gett

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + 

<一>选择NOR flash型号 我的开发板上的nor flash芯片是Intel的JS28F320(4MB)(1device=32blocks,1block=128MB fl2440默认是nandflash启动,norflash启动只需将跳线帽J5拔掉就可以了 1. 把开发板的配置文件fl2440.h(/include/configs/fl2440.h)中关于flash的配置部分都删掉,换成下面的配置: #define CONFIG_NR_DRAM_BANKS     1          

1 nand flash的操作 目的:读地址A的数据,把数据B写到地址A. 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线,怎么传输地址?答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址,当ALE为高电平时传输的是地址. 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令     怎么传入命令?答2．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址,也传输命令     当ALE为高电平时传输的是地址,     当CLE为高电平时传输的是

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,