一. 要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合.一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图. Intel 2114芯片的读.写周期时序如图所示. 二. 读周期 读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平.tRC (读周期时间):指对芯片连续两次读操作之间的最小间隔时间.tA (读出时间):从给出有效地址后,经过译码电路.驱动电路的延迟,到读出所选单元内容,并经I/O电路延迟,直到数据在外部数据总线上稳定出现所需的时间.显然,读出时间小于读周期时间.tCO (

在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习,但是在SRAM中调试所造成的影响就是断电的时候数据会丢失. 个人以STM32ZET6为例子,因为我的板子的芯片是ZET6的,不过设置除了地址空间不一样之外.其他都基本雷同. 首先,STM32的启动模式有三种, 在S

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

前言:sram顾名思义静态随机存储器,分为asram异步型和ssram同步型.这里驱动DE2上一块ISSI公司的512KB的asram. 设计思路:因为实际应用中单字节读写效率不高,所以本设计中仿照sdram的页突发读写,提高sram的效率.因为sram不像sdram需要定期刷新以及行列地址复用,因此省却很多麻烦.拿到手册以后主要关注的就是其最快运行时钟以及数据稳定的建立时间和保持时间,以及控制线的时间参数,这些参数可以由datasheet的时序参数的min time和max time确定,通过

DB2 HADR需要额外安装TSA,正常情况下CentOS无法通过安装前验证.会报一个说发行版不支持的错误. 可以通过伪装成RHEL的方式使得正常安装. 修改方式如下 修改/etc/system-release文件将其内容改为 Red Hat Enterprise Linux Server release 6.7 (Final) 另外,在x86_64架构下安装可能会报一个缺少 compat-libstdc++-33 (i686)的错误 可以用如下方法解决 wget ftp://mirror.sw

自己写的SRAM的程序,主要在于实用性,适应工作的工程需要.使用芯片为: 芯片时序图为: 代码: /********************************Copyright************************************** **----------------------------File information-------------------------- ** File name : ZF_SRAM.v ** CreateDate :2014.11

_____________________________________ 深入交流QQ群: A: 204255896(1000人超级群,可加入) B: 165201798(500人超级群,满员) C: 215053598(200人高级群,满员) D: 215054675(200人高级群,满员) E: 215055211(200人高级群,满员) F: 78538605 (500人高级群,满员) G:158560047(500人高级群,满员) H:103661446(可加入...) YY 群:71

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

SRAM:静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大. DRAM:动态RAM,需要刷新,容量大. SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度较快,容量大.DDR SDRAM:双通道同步动态RAM,需要刷新,速度快,容量大 具体解释:什么是DRAM DRAM 的英文全称是'Dynamic RAM',翻译成中文就是'动态随机存储器'.DRAM用于通常的数据存取.我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量

http://segger.com/jlink-real-time-terminal.html Real Time Terminal SEGGER's Real Time Terminal (RTT) is the new technology for interactive user I/O in embedded applications.With RTT it is possible to output information from the target microcontroller

我用的是stm32,加了1MB的外部SRAM,在使用emWin的时候,将一部分内存分配给emWin使用.其实方法很简单,传入SRAM数据总线地址即可,数据位宽我采用16bit,因为使用的SRAM是16bit的,这样做比较合适.如果是在ARM9及以上的平台上使用,依葫芦画瓢的把DDRAM的物理地址传入emWin即可,不过地址位宽一般是32位的,大小由自己决定. /********************************************************************

http://www.cnblogs.com/spartan/archive/2011/05/06/2038747.html SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷 新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片

字节控制功能.支持高/低字节控制. 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置. 这里就做一个概括性的讲解.步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能. 要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟.然后需要把 FSMC_D0~15,FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟. 使能 FSMC 时钟的方法: RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENAB

常见存储器概念:RAM.SRAM.SDRAM.ROM.EPROM.EEPROM.Flash存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),其中RAM的访问速度比较快,但掉电后数据会丢失,而ROM掉电后数据不会丢失. 在单片机中,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. FLASH:单片机运行的程序存储的地方. SRAM:存储单片机运行过程中产生的了临时数据.

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整

原文:http://blog.csdn.net/fg8181/article/details/2278100 内存在电脑中起着举足轻重的作用,一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE). 按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM).SIMM内存条分为30线,72线两种.DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线.DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用. 按内

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

SRAM,SDRAM,网卡有地址总线.由cpu统一编址. NAND flash没有地址总线. 因 此有这两者寻址方式不同. 字符设备驱动程序的框架. 驱动程序 1.有led.read,led.write,led.open 这些函数,2.定义了-个结构体fileoperation,这个结构体包括指向led.read的.read 函数.包括指向led.write的.write函数,包括指向led.open 的.open函数.3.入口函数(把fileoperation结构体告诉内核的函数),通过reg

重定位代码 两个不同的地址概念: 对于程序而言,需要理解两个地址,一个是程序当前所处的地址,即程序运行时所处的当前地址.二是程序应该位于的运行地址,即编译程序时所指定的程序的链接地址.在Tiny6410中板子上电启动时只会从NAND Flash/MMC等启动设备中拷贝前8K的代码到SRAM中,然后跳转到SRAM中运行代码.那么问题就来了,如果我们的程序超过8K会出现什么问题呢?程序拷贝不完整运行当然出错.所以就需要我们在前8K的代码中实现将整个程序完整的拷贝到DRAM等其他更大的存储空间,然后在