(1) 容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M字节.或128 M bit. (2) 时钟周期.它代表SDRAM所能运行的最大频率.显然,这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高. 对于一片普通的PC-100 SDRAM来说,它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10  ns,即可以在100 MHz的外频下正常工作.例如芯片上标有7.5,表示它可以运行在133MHz的频

本实验设计的VGA显示驱动完全基于FPGA实现,用SDRAM做缓存设备,通过ARM控制VGA显示的内容.ARM 通过FSMC总线向FPGA发送数据,由于总线的速度和VGA的显示速度与SDRAM的读写速度不匹配,所以在数据进入 SDRAM前和数据输出SDRAM后需要分别添加FIFO模块和RAM模块做缓存,数据经过SDRAM缓存后,最终输出到 VGA显示器上. 实验指导书及代码包下载: http://pan.baidu.com/s/1midJhs0

SDRAM 芯片讲解: 地址: 行地址 (A0-A12) 列地址 (A0-A8)    片选信号(BA0 BA1)(L-BANK)(因为SDRAM有 4片) 两片SDRAM 连线唯一区别在 UDQM LDQM DQM0 ---片1 LDQM DQM1----片1 UDQM DQM2----片2  LDQM DQM3---片2   UDQM ———————————————————————————————————————————————————————————— 1.读操作(见杨铸 121) 地址线

前言:作为经典存储器的三剑客中的flash和sram已经建模测试过了,虽然现在都已经ddr2,ddr3,667MHZ.1333MHZ的天下了,但是接下这周来准备写一下sdram的controller.虽然本科生的时候很早就接触过flash,sram也听过sdram,但是flash和sram一般是作为单片机的一部分集成在内部,因此他们的总线基本被优化成指令,再者sdram的时钟一般100MHZ,用低速的微控制器驱动着实让sdram深受委屈. 这次要驱动的sdram芯片是ISSI的IS42S1640

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取

汇编代码主要是初始化一些寄存器,关狗,初始化时钟,初始化存储管理器以便访问内存,然后将SoC上4k RAM数据拷贝至SDRAM,然后在SRAM里面运行,由于代码未正常跑起来,于是使用JLinkExe来调试.JLinkExe指定了一个命令文件: JLinkExe -commandfile ./cmd.jlink ,cmd.jlink文件内容如下: r loadbin /home/thomas/learn/armasm/addresses/main.bin 0x0 setbp 0x0 a s set

1.SDRAM单管存储单元 SDRAM单管电路图 C记忆单元 T控制门管 Z字线 W位线 注:图示为N沟道耗尽型MOS管 写入:Z加高电平,MOS导通,W状态决定了电容C的状态 读出:Z加高电平,MOS导通,可以从W状态得知C的状态 保持:Z加低电平,MOS关闭,电容保持原状态 注意:单管读出是破坏性读出,因为读出时电容充电或者放电了,所以读出后还要重写 2.      刷新与重写  ●  刷新是每隔一段时间,自动重写一次:重写是破坏性读出后立即还原 最大刷新间隔:所有的动态单元都被重新刷一遍的

SDRAM和dcfifo的联合 设计原理 在"SDRAM突发读写页"实验中,留下了一个问题,就是从SDRAM读取数据的速度要与SDRAM的驱动时钟同步,这就造成了读出的数据的速率过快,我们很难通过在LED上观察其读出的结果. 在学习了dcfifo之后相信你已经了解了dcfifo的功能,没错这一节就是要用到dcfifo作为跨时域的桥梁,把100M的读时钟频率"降下来". 通过测试模块往SDRAM写入一页的数据,当写如完成后便进入到延迟状态(当然这个延迟我们可以不要),

SDRAM读写一字 SDRAM控制模块 上电后进行初始化状态,初始化完成后进入空闲状态,在此进行判断如下判断: 如果自刷新时间到,则进行自刷新操作,操作完成后重新进入空闲状态: 如果读使能有效则进行读操作,操作完成后产生完成信号并延迟一个时钟周期重新进入空闲状态: 如果写使能有效则进行写操作,操作完成后产生完成信号并延迟一个时钟周期重新进入空闲状态. 其中自刷新状态的优先性最高,然后是写操作.最后是读操作: SDRAM控制状态机流程图: 控制模块代码 自刷新定时 自刷新15us定时流程图 自刷新

SDRAM读写一字 系统设计 SDRAM指令 指令 常量名 CKE CSn RAS CASn WEn 备注 空操作 NOP 1 0 1 1 1   行激活 ACTIVE 1 0 0 1 1   读操作 READ 1 0 1 0 1   写操作 WRITE 1 0 1 0 0   预充电 PR 1 0 0 1 0   自刷新 AR 1 0 0 0 1   设置寄存器 LMR 1 0 0 0 0   突发停止 BURST_STOP 1 0 1 1 0 1 SDRAM初始化 SDRAM控制模块发送初始

芯片原理图 引脚原理图 指令 通过对上面指令的总结,简化出要用到的指令如下: 指令 常量名 CKE CSn RAS CASn WEn 备注 空操作 NOP 1 0 1 1 1   行激活 ACTIVE 1 0 0 1 1   读操作 READ 1 0 1 0 1   写操作 WRITE 1 0 1 0 0   预充电 PR 1 0 0 1 0   自刷新 AR 1 0 0 0 1   设置寄存器 LMR 1 0 0 0 0   突发停止 BURST_STOP 1 0 1 1 0 1 芯片配置 操

SDRAM知识普及 在学习SDRAM之前,必须先了解"SDRAM"这个概念性的东西,并有感性的认识转变到一种理性的认识,所谓理性的认识就是实质性的东西…….不多说,相信你已经迫不急待了.那我们就开始了. 初识SDRAM SDRAM的全称是:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

2.SDRAM内存工作原理 上面产生的误解关于 Bank ,这个bank 不是 和 S3C2440 芯片有关系(RAM 自身有bank , SDRAM 自身也有bank ,就像书 有 好几章节一样) 所以人们在 SDRAM内部分割成多个 L-Bank,目前基本都是 4个(这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量),由此可见,在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank,然后在这个选定的 L-Bank中选择相应的行与列进行寻址.因此对内存的访问,一次只能是一个 L-Bank工作.如图2-50 当

BF533的SDRAM控制器最大支持128M bytes的SDRAM空间:总线宽度可以配置为4位.8位.16位.处理器与SDRAM的连线包括数据总线D[0:15].地址总线A[1:19].SDRAM刷新专用信号SA10,时钟信号SCLK.时钟使能信号SCKE.行锁存信号SRAS#,列锁存信号SCAS#,写使能信号SWE#,片选信号SMS#和总线屏蔽信号ABE[1:0]. SDRAM的起始地址为0x0000 0000,尾地址为0x03ff ffff,共64MB;若为32MB SDRAM,则尾地址为

-- https://fpga4u.epfl.ch/wiki/FPGA4U_Description -- The SDRAM bits data ..> signals, -- one ..>. -- This memory is a synchronous SDRAM, validating address and control signals with the rising edge of SDRAM_CLK, -- banks selected by SDRAM_BA<..>

首先是2440的存储控制器: 暂时不管是从nand启动还是nor启动,因为我现在只关注内存,从上图可以看到由2440的Memory Controller可以寻址的范围是0x0000,0000---0x4000,0000,总共是1G,这1G又分为8个bank,bank0-bank7,每个bank为128M, 8*128M＝1G.其中bank0-bank5这6个bank是只能接SROM,那么什么是SROM,2440数据手册的221页说明了,SROM是ROM或者SRAM. 通用存储设备: 内存存储设备

使用的流程 W9825G6JH winbond sdram 4M words X 4banks X 16bits=. Accesses to the SDRAM are burst oriented. Up to 200MHz CAS Latency 2 and 3 Burst Length 1,2,4,9 and Full page BUrst Read, Single Writes Mode 8K Refresh Cycles/64mS 1 After power up, an initia

command 模块总述 SDRAM 的 command 模块的内容包括如下: 1.对初始化请求.配置模式寄存器.读/写.刷新.预充电等命令的一个优先级的控制. 2.对命令执行时间进行控制,依据如图1,红圈框起来的都是最小值. 图1 3.将相应的命令进行解码即转化成相应的控制总线,转化依据如图2: 图2 代码详解 以下代码都是我通过学习别人的代码,然后按照我自己的理解修改后的,经过验证是正确的. 1.SDRAM 重要的参数 SDRAM 的容量为 4 * 1 M* 16 bit , 一共有 4 个