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Nand flash存储单元组织结构
NAND Flash内部结构简介
介绍 1965年,在双极管被W.Shockley.W.Brattain和J.Bardeen三人发明出来之后,Intel的合作创始人Gordon Moore发现了这样一条法则:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每一年便会增加一倍,性能也将提升一倍.而事实上,在接下来的几年集成电路上的晶体管数目大概每18个月就会增加一倍.例如,从Pentium 1.3到Pentium 4之间的18个月里,单位面积里的晶体管数量就从2800万增加到了5500万. 今天,一个标准的桌面PC的
第8章 NAND FLASH控制器
8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.
JZ2440 裸机驱动 第8章 NAND Flash控制器
本章目标 了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍 常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl
NAND Flash的基本操作——读、写、擦除
基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除. 读: 当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个
嵌入式Linux学习笔记 NAND Flash控制器
一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,
nand flash详解及驱动编写
https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1 Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级
如何编写linux下nand flash驱动-1
1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内
SAM4E单片机之旅——16、NAND Flash读写
这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.
nor flash和nand flash的区别
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而
(三)NAND flash和NOR flash的区别详解
我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清
NAND flash和NOR flash的区别详解
我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清
NAND FLASH均衡算法笔记(转)
转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需
RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH
在看上面2440的内存映射的时候,对其中的有些名字,不是完全太懂,所以到网上找了相关的信息. 对于mini2440来说,SDRAM,即内存,程序运行时的地方.选择连接SDRAM的为bank6. 1)S3C2440 支持两种启动模式:一种是从 Nand Flash 启动:一种是从Nor Flash启动.在此两种启动模式下,各个片选的存储空间分配是不同的, 2)左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图,右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图,这里要注意,nGCS0片选
NAND FLASH 原理
NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.
NAND FLASH的容量、特性、市场和应用
NAND Flash的容量 一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L
NOR FLASH与NAND FLASH
整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别d
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D
Samsung K9F1G08U0D SLC NAND FLASH简介(待整理)
Samsung K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1 (page) = (数据块大小)2048 +
Nand flash 的发展和eMMC
讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可
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shell脚本计算行数并输出
office中直接插入公式和公式编辑器插入公式有什么区别吗
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