最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

TTL電路是晶體管-晶體管邏輯電路的英文縮寫(Transister-Transister-Logic ),是數字集成電路的一大門類.它采用雙極型工藝制造,具有高速度低功耗和品種多等特點. CMOS是:金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管 之分.由 MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路,而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS

关于STM32GPIO口的8种工作模式,我们先引出一些问题? STM32GPIO口如果既要输入又要输出怎么办? 1.浮空输入模式 上图红色的表示便是浮空输入的过程,外部输入时0读出的就是0,外部输入时1读出的就是1,外部没有输入IO处于阻塞读不出电平状态. 用处:感觉在信号处理方面用的比较好,比如在读取一段一段的波形,可以清晰的知道什么时候是0信号,什么时候是1信号,什么时候是没有信号的. 类比:51单片机找不到类似的输入模式   2.上拉输入 上拉输入和浮空输入的区别是,上拉电阻的开关关闭了,

关于STM32GPIO口的8种工作模式,我们先引出一些问题? STM32GPIO口如果既要输入又要输出怎么办? 1.浮空输入模式 上图红色的表示便是浮空输入的过程,外部输入时0读出的就是0,外部输入时1读出的就是1,外部没有输入IO处于阻塞读不出电平状态. 用处:感觉在信号处理方面用的比较好,比如在读取一段一段的波形,可以清晰的知道什么时候是0信号,什么时候是1信号,什么时候是没有信号的. 类比:51单片机找不到类似的输入模式   2.上拉输入 上拉输入和浮空输入的区别是,上拉电阻的开关关闭了,

基于6575平台: GPIO驱动程序提供了两个接口: (1)内核空间:所提供的GPIO驱动程序,驱动程序可以调用其他函数 (2)用户空间:用户空间的程序可以通过发送IOCTL   /dev/ mtgpio的操作GPIO GPIO_PIN 枚举所有的GPIO引脚.它将被用于在每个gpio驱动 查看文本打印? typedef enum GPIO_PIN { GPIO_UNSUPPORTED = -1, GPIO0  , GPIO1  , GPIO2  , GPIO3  , GPIO4  , GPIO

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

转自http://ninghechuan.com 你要的FPGA&数字前端笔面试题来了 FPGA&ASIC基本开发流程 题目:简述ASIC设计流程,并列举出各部分用到的工具. 勘误:Calibre是Mentor公司的 ASIC开发基本流程 芯片架构,考虑芯片定义.工艺.封装 RTL设计,使用Verilog.System Verilog.VHDL进行描述 功能仿真,理想情况下的仿真 验证,UVM验证方法学.FPGA原型验证 综合,逻辑综合,将描述的RTL代码映射到基本逻辑单元门.触发器上 D

第7章     使用寄存器点亮LED灯 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F429规格书>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>"通用I/O(GPIO)"章节一起阅读,效果会更佳,特别是涉及到寄存器说明的部分.关于建立工程时使用KEIL5

第7章     使用寄存器点亮LED灯 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F429规格书>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>"通用I/O(GPIO)"章节一起阅读,效果会更佳,特别是涉及到寄存器说明的部分.关于建立工程时使用KEIL5

单端标准 常用的单端IO标准是LVTTL和LVCMOS. 目前业界绝大部分FPGA/CPLD器件的LVCOMS的IO是由CMOS推挽(push-pull)驱动器构成的,这种结构是上面的PMOS管和下面的NMOS管组成的.当PMOS关闭,NMOS打开时,驱动器输出低电平:相反,当NMOS关闭,PMOS打开时,驱动器输出高电平. CMOS驱动器在从输出由高到低的转换过程中,把PMOS关闭,同时把NMOS打开,这样,输出信号线与参考地平面及负载输入构成的等效电容处于放电状态,直到输出为低.CMOS驱动

nor flash和nand flash差别 学习嵌入式有一段时间了,刚接触nor和nand时非常是迷惑.非要逼我写一篇博客才干记清楚. 首先他们都是存储设备.统称叫做flash memory.导致他们存在差异的原因肯定是硬件上的差异了.//好似男人和女人,先有硬件的不同.才发展出来生理上的不同 导致性能和用途不同根本原因(硬件):组成存储单元的逻辑器件,nor採用与非门.nand採用或非门. 事实上所谓nor和nand是基于不同的制造技术.按字面,nor是与非门.nand是或非门,就是做IC时

GPIO简介 GPIO 是通用输入输出端口的简称,简单来说就是 STM32 可控制的引脚, STM32 芯片的 GPIO 引脚与外部设备连接起来,从而实现与外部通讯.控制以及数据采集的功能.STM32 芯片的 GPIO 被分成很多组,每组有 16 个引脚,如型号为 STM32F103VET6 型号的.芯片有 GPIOA. GPIOB. GPIOC 至 GPIOE 共 5 组 GPIO,芯片一共 100 个引脚,其中GPIO 就占了一大部分,所有的 GPIO 引脚都有基本的输入输出功能. 最基本的

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写.它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片.因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的. 电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元.而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序.BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特

模拟CMOS 衬底噪声:由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声.解决方法:在两个电阻之间加入一个P+注入区(作为P衬底晶圆的衬底接触).P+注入区保护电路免受载流子的影响,由于注入区是一个环形,所以成为保护环. 共质心版图 共质心(共同的中心)版图有助于改善两电阻之间的匹配性能(代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性),另外,共质心也能改善MOS和电容的匹配性能. 3.MOS电容 堆积 (VGS<<Vth) 当VGS<0,来自衬底移动的空穴被吸引(堆积)到栅氧层的下方.当MOS管处于堆

1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs