SLC.eSLC.MLC.eMLC的区别 作为SSD主要元件的NAND闪存,我们经常见到的有SLC和MLC两种,甚至还细分出eSLC和eMLC等等,现在我们谈一下他们之间的区别.       SLC全称single-level cell,即单阶存储单元:MLC全称Multi-level cell,即多阶存储单元.因NAND闪存是一种电压元件,因此它以不同的电压范围来代表不同的数据,原理如下面图片所示:                   SLC就是在NAND闪存的每个存储单元里存储1bit的数据

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在

SLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高.容量小.速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢.MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍.不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存. 存储单元分为两类:SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-L

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实

前言 原创文章,转载引用务必注明链接.水平有限,欢迎指正. 本文使用markdown写成,为获得更好的阅读体验,推荐访问我的博客原文: http://www.omoikane.cn/2016/09/15/bbb_adv_settings/ 系统环境:Windows 7 Home Pentium x64|Deepin Linux 15.2 x64:Debian 8.5 On BBB Industrial 关于板载eMMC存储 关于eMMC存储的基本知识可以看我之前的文章<板载eMMC初探>,总而

许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量.数据的安全性.机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量.低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番. 什么是SLC? SLC英文全称(Single Level Cell

SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC3倍以上的价格),约10万次擦写寿命 MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命 TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命: MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000—10000次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命. 结论:SLC > MLC > TLC 目前大多数U盘都是采用TCL芯

作者:Younger Liu, 本作品采用知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议进行许可. EMMC与RAND的区别 说到两者的区别,必须从flash的发展历程说起,因为两者都属于flash的范畴. 1.     Flash发展历程 1.1          NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

一． NAND和NOR的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通 过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存.相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换 使用.许多

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因

继ok6410 u-boot-2012.04.01移植四.五后,开发板基本已支持MLC NAND,支持DM9000.但是通过NAND命令更新u-boot到NAND,还存在问题,需要根据u-boot的nand命令继续修改,最终实现通过网卡tftp程序到内存,接着通过NAND命令写到NAND. 开发环境: 系统:ubuntu 10.04.4 单板:ok6410 NAND FLASH:K9GAG08U0D 2048MB NOR Flash:EN29LV160AB 2MB DDR:K4X1G163PCX

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/