这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅 在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

用于功率集成电路应用的600伏.10安.4H-碳化硅横向单沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的演示和分析 摘要: 本文报道了一个具有大电流处理能力(10 A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示.为了在横向结构中实现高击穿电压,实现了减小表面电场(RESURF)结构以减轻表面电场拥挤.一个single RESURF(P-top) 被设计在一个6英寸的N型区域.衬底表现出120伏/微米的电压支持能力,导致600伏的击穿电压.交叉栅极指状物的总宽度为198毫米,具有高电流支持能力.对于相对低电

6.3 变压器隔离 在许多应用场合中,期望将变压器结合到开关变换器中,从而在变换器的输入输出之间形成直流隔离.例如,在离线(off-line)应用中(变换器输入连接到交流公用系统),根据监管部门要求,需要隔离.在这些情况下,只需要在变换器的交流输入端连接一个50Hz或者60Hz的变压器即可获得隔离.但由于变压器的尺寸和重量随频率成反比,因此通过将变压器并入变换器中恶意实现显著的改进, 使得变压器以数十或者百KHz频率工作. 当需要较大的升压或者降压变换比时,使用变压器可以优化变换器.通过合适的变

什么是闪存: 快闪存储器(英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器 存储原理 要讲解闪存的存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起. EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入.其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS.它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D.在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,

在不使用外延层的同轴半绝缘衬底材料上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管 杂志:日本应用物理杂志   在不使用外延层在同轴的半绝缘SIC衬底上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管.LDIMOSFET使用离子注入工艺从而形成电流通路层.共面波导作为栅极和漏极之间的漂移区.通过使用同轴半绝缘衬底和最优化的共面波导参数,1093伏特下的击穿电压和89.8兆欧姆·厘米2的特定导通电阻从20微米长的共面波导器件中被获得到.实验中得到的场效应晶体管的沟道迁移率为21.

3.5 示例:Boost变换器中包含的半导体传导损耗 作为最后一个示例,让我们考虑对图3.22所示的Boost变换器中的半导体传导损耗进行建模.功率损耗的另一个主要来源是半导体器件的正向电压降引起的传导损耗.金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)或双极结型晶体管(BJT)的导通压降可以以合理建模为导通电阻\(R_{on}\).如果是二极管,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或晶闸管,则电压源加上导通电阻会得到精度非常高的模型:如果在单个工作点对变换器建模,则可以省略导通电阻. Fig 3.22 Bo

  推荐文章:PCBA大讲堂:用数据比较OSP及ENIG表面处理电路板的焊接强度 如果你有机会拿起一片电路板,稍微观察一下会发现这电路板上有着许多大大小小的孔洞,把它拿起来对着天花板上的电灯看,还会发现许多密密麻麻的小孔,这些孔洞可不是放在哪里摆好看的,每个孔洞都是有其目的而被设计出来的. 这些孔洞大体上可以分成PTH(Plating Through Hole,电镀通孔)及NPTH(Non Plating Through Hole,非电镀通孔)两种,这里说「通孔」是因为这种孔真的就是从电路板的一

1.学习ARM的目标 (1)对比X86,8051汇编,从更底层的角度去理解相关知识 (2)为后续嵌入式课程做准备 (3)了解ARM的体系结构,能够看懂ARM汇编 2.ARM分类 (1)按照版本号分类: ARM7.ARM9.ARM11 Cortex系列: Cortex-R(实时性要求高) Cortex-M(单片机) Cortex-A (2)按指令集分类: ARMV4.ARMV7.ARMV8 3.ARM商业模式及半导体公司 (1)IP核(知识产权,卖IP而不卖芯片的策略),在核基础上进行设计 (2)

catalogue . ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 . 内存工作原理 . DRAM基本结构与原理 . SD卡基本结构与原理 1. ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 0x1: ROM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,ROM也有很多种 . PROM是可编程的ROM: PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了 . EPROM(可擦除可编程ROM): EPR

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

电子元件封装大全及封装常识 电子元件封装大全及封装常识 一.什么叫封装封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装.固定.密封.保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接.因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降.另一方面,封装后的芯片也更便于安

现在常用的SPICE仿真软件为方便用户使用都提供了较好的用户界面,在用仿真库中的元器件连成原理图后就可以进行仿真(当然要设置必要的仿真参数),但实际上只是用原理图自动产生了SPICE的格式语句,还是要通过读取语句来进行仿真,这是历史的遗留问题.在当时的技术条件下,不能用图形方式输入电路结构,只能通过文本文件来描述,也就是所谓网表.SPICE软件的设计者规范了要进行仿真的电路对应的SPICE网表文件格式,还定义了许多仿真描述语句和分析控制语句等,使仿真软件能通过读取这些特殊信息来进行相关计算和运行

DCDC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换),只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO.但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC.      LDO 是低压降的意思,这有一段说明:低压降(LDO)线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点.它需要的外接元件也很少,通常只需要一两 个旁路电容.新的LDO线性稳压器可达到以下指标:输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV.LDO线性稳压器的性 能之所以能够

综述先看这里 第一节的1.1简单介绍了DC/DC是什么: 第二节是关于DC/DC的常见的疑问答疑,非常实用: 第三节是针对nRF51822这款芯片电源管理部分的DC/DC.LDO.1.8的详细分析,对于研究51822的人很有帮助: 第四节是对DC/DC的系统性介绍,非常全面: 第五节讲稳压电路的,没太多东西,可以跳过: 第六节讲LDO的,包含LDO和DC/DC的选型建议.LDO电容的选择等,很好: 第七八两节从专业角度给出提高电源效率的建议(目前还用不到). 一.DC/DC转换器是什么意思 le

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

转自:http://bbs.eetop.cn/thread-459121-1-1.html 在平时的学习中,我们都有接触LDO和DC/DC这一类的电源产品,但作为学生的我们队这些东西可能了解不够深刻,在这里我给大家介绍一下DC/DC和LDO,并且对他们进行详细分析. LDO是low dropout voltage regulator的缩写,就是低压差线性稳压器. DC-DC,其实内部是先把DC直流电源转变为交流电电源AC.通常是一种自激震荡电路,所以外面需要电感等分立元件. 然后在输出端再通过积

电脑的发展历史 电脑的学名叫计算机,电脑是用来做计算的.在古时候,人们最早使用的计算工具可能是手指,英文单词“digit”既有“数字”的意思,又有“手指“的意思.古人用石头打猎,所以还有可能是石头来辅助计算.  缺点:手指和石头太低效了 后来出现了”结绳 “记事.   缺点:结绳慢,绳子还有长度限制. 又不知过了多久,许多国家的人开始使用”筹码“来计数,最有名的就要数咱们中国商周时期出现的算筹了.古代的算筹实际上是一根根同样长短和粗细的小棍子,大约二百七十几枚为一束; 多用竹子制成,也有用木头.