可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成

P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体.在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电.掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子.如下图: PN结的形成 把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动.N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散.由

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本

摘自:https://blog.csdn.net/CPJ_phone/article/details/40979027                                                                                                                     2018-07-29         13:06:21 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子

PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,

电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项导电性

https://www.zhihu.com/question/60053574/answer/174137061 我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? https://blog.csdn.net/cyousui/article/details/78509792 PN结的形成原理

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是

<学渣的电子技术自学笔记>--二极管的工作频率与PN结结面积的关系 书本原文 :按结构分,二极管有点接触型.面接触型和平面型三类.点接触型二极管(一般为锗管)的PN结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用作数字电路中的开关元件.面接触型二极管(一般为硅管)的PN结结面积大(结电容大),故可通过较大电流,但其工作频率较低,一般用作整流.平面型二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管.   二极管 a)符号:b)点接触型:c)面接触型

距离上一次写半导体,已经过了很久了,上次分享了本征半导体的基本概念: https://zhuanlan.zhihu.com/p/109483580 今天给大家聊聊半导体工业中的基础:PN结与二极管 1.掺杂的半导体 如果将本征半导体进行掺杂处理,我们可以得到P型半导体和N型半导体.如图1-1,P型半导体以空穴作为多数载流子,N型半导体以电子作为多数载流子.如果单纯的对掺杂半导体进行通电,我们会发现半导体的导电能力大大增强了(相对于本征半导体),在相同掺杂浓度的半导体中,N型半导体体的导电能力更强

一沙一世界,一树一菩提,我们这个世界的深邃全部蕴藏于一个个普通的平凡当中.小小的厨房所容纳的不仅仅是人们对味道的情感,更有推动整个世界前进的动力.要想理解我们的世界,有的时候只需要细细品味一下我们所喜爱的美食即可.正因为此,我们才规划了<舌尖上的硬件>这样一个系列栏目.通过对美食的品味和体会,我们可以更好地理解许多硬件相关的原理.内涵甚至是趣闻,我们所需要为此准备的,其实仅仅是一颗平和的心而已. 在上一期的<舌尖上的硬件>栏目中,我们第一次接触到了隐藏在食物背后的其与半导体业界的神

MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE     TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH      SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED).数码管.符号管.米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等.事实上,数码管.符号管.米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管. 一. 半导体发光二极管工作原理.特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓).GaP(磷化镓).GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结.因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止.击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向电压下,电子由N

37款传感器与模块的提法,在网络上广泛流传,其实Arduino能够兼容的传感器模块肯定是不止37种的.鉴于本人手头积累了一些传感器和模块,依照实践出真知(一定要动手做)的理念,以学习和交流为目的,这里准备逐一动手试试做实验,不管成功与否,都会记录下来---小小的进步或是搞不定的问题,希望能够抛砖引玉. [Arduino]108种传感器模块系列实验(资料+代码+图形+仿真) 实验五十六: 8路LED流水的灯跑马灯模块SUNLEPHANT 发光二极管简称为LED.由含镓(Ga).砷(As).磷(P)

基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为.在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强了击穿能力.已有功率MOSFET的设计规则可与现有的20伏特4H-SIC的CMOS工艺技术兼容.额外植入的减小表面电场区域在深度大约为390纳米处为3.5×1012cm2.

这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅 在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电