/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

源:http://www.amobbs.com/thread-5484710-1-1.html 从网上找到一些MC34063扩流降压电路图,一个个的试,根本达不到我的基本要求,全都延续了34063的降压低效率,仅把发热点从IC转到功率管上,基本上都是垃圾,另外其他人在网上说,这本来就是很难弄的,等等.最后还是不得不自己折腾,搭出了一个自己满意的电路. MOSFET看起来是很容易使用的一种元件,其最佳工作状态就要么导通,要么全截止,驱动电平高或低,不能模棱两可,否则就成了一种昂贵的加热器.3406

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路

一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现.事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这

最近在调试MOSFET电路中,发现了更多问题,比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作,却对NMOS不能很好控制.当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀,这自然没有错,我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响,但是这些差异最终体现在哪些具体的地方,我仍然是含糊不清的.这最集中体现在当我拿到一个商家给的MOSFET的参数表时,很多参数我都不明白什么意思.比如下面两个链接给出的参数表: http://www.mouser.com/ds/2/205/DS99975B(IXTN1

这部分内容大部分参考W.Y.Choi的课堂讲义第三讲和第四讲:http://tera.yonsei.ac.kr/class/2007_1/main.htm 一.小信号模型 首先要明确一点,大部分情形MOSFET都是工作在饱和区.在饱和区工作的状态我们通常称为静态工作点,在此状态附近考虑一个小的控制信号扰动$v_{GS}$,漏极伴生的附加电流记为$i_D$. 小信号模型就是用于研究这两个物理量之间的关系. 由MOSFET在饱和区的关系$I_D=\frac12\mu_nC_{ox}\frac{W}{

最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

With an n- and p-channel MOSFET, you can easily implement a single-pole double-throw (SPDT) switch to isolate part of a circuit and power it from a secondary supply for standby operation while the rest of the circuit is off (Figure 1). By using a com

Targeting use in portable-system applications that require raising a battery's voltage to a higher level, IC boost regulators often include output transistors that can drive storage inductors. However, most boost regulators' absolute-maximum input-vo

The classic LM317 adjustable-output linear voltage regulator offers a relatively high, if package-dependent, current-handling capability. In addition, the LM317 features current limiting and thermal-overload protection. With the addition of a few com

You would normally use a series linear regulator or a dc/dc converter to obtain 3V dc from a higher supply. However, when breadboarding a concept, you may be able to use a shunt regulator, especially if a series regulator of the correct voltage is un

http://www.electronic-products-design.com/geek-area/electronics/mosfets/using-mosfets-as-general-switches Using this back to back arrangement of P Channel mosfets, when on current will flow in either direction. When off both sides are isolated. You c

符號 上面這個是 空乏型 的 MOSFET 符號 (有做過修改), 一個是 P channel, 一個是 N channel, 空乏型本身就有通道,所以中間是沒有斷掉的直線, P 代表 + , 有外放的意味,所以 channel 的箭頭往外,(自己想的) N 代表 - , 有收斂的意味,所以 channel 的箭頭往內,(自己想的) MOSFET 的 S 和 基體接在一起,所以符號二條線連在一起的是 S 極, P channel depletion MOSFET 的 S 和 基體接在一起, 兩個

Origin mosfet 除了有 n channel 及 p channel 外, 還分為 enhanced 及 depletion 兩種, 引起我注意的是, depletion 代表什麼, Explanation 以 p-channel mosfet 為例, 基體是 n 型, channel 是 p 型, depletion 有一個特色是尚未加上 Vgs 時,就已有 channel,常開, Vgs加上負電壓,在基體上會感應 p 到 channel 上,channel 會更大, 若 Vgs 加

https://www.cnblogs.com/yeungchie/ MOSFET 线性区(三极管区,\(V_{DS} \leq V_{GS} - V_{TH}\)) \[I_{D} = \mu_{n} C_{ox} {W \over L} [(V_{GS} - V_{TH}) V_{DS} - {1 \over 2} V_{DS}^2] \] \(\mu_{n} C_{ox}\) 是一个系数,与工艺相关,单位 \(A / V^2\) 在 \(V_{DS} = V_{GS} - V_{TH}\)

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

问题: ˇ星空-北京:5V的时候,MOS管可以关断:12V的时候关不断: 初步判断在 Q4 上,先建议按以下方式测量数据. (Excel 文件) 等待回复. 参考链接:http://blog.51cto.com/reatherboly/1318695