1＼在调试ok6410 nandflash启动uboot时,需要添加调试信息,导致uboot大于256k 2\需要修改下面几个地方 参考资料 在uboot中可以添加文字菜单,但是不够美观. 利用photoshop制作一张jpg菜单图片,在ubuntu中使用jpeg2bmp.sh将jpg图片转换成bmp格式 uboot/tools/bmp_logo.c编译生成的工具bmp_logo可以根据bmp格式图片生成bmp_logo.h,图片的信息存储在数组当中.当图片的分配率越大,转换成的数组越大,导致最

一. 修改内核大小 1. 在你的配置文件下uboot/include/config/xxx.h 里面有一个宏定义 #define MTDPARTS_DEFAULT "mtdparts=jz2440-0:256k(u-boot)," \ "128k(params)," \ "4m(kernel)," \ "-(rootfs)" \ 此处将kerner对应的字段修改后即可修改uboot为linux内核分配的空间, kernel内为

用户可以为图表的宽度和高度设置百分比值,用来替代绝对的像素值. 以百分比的方式调整图表,首先需要更新HTML代码,如下所示: <div id="chartContainer" style="width:800px;height:300px;"> This text is replaced by the chart </div> <script type="text/javascript"><!-- var

NAND FLASH的结构如图所示: Denali NAND FLASH控制器模块提供了从AHB总线到外部NAND FLASH存储器芯片IO管脚的访问功能.主要技术特性包括: 1.标准32位AHB总线接口: 2.提供AHB交易缓存异步FIFO,实现速度匹配和数据通路调整,与AHB总线.与NAND FLASH存储器之间的数据通路均可配置(最大64bit): 3.提供数据缓存以提高访问性能: 4.支持内建的BOOT启动访问: 5. 提供4路bank片选信号,每路bank片选信号支持4片外部存储器件(

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

转自:http://blog.chinaunix.net/uid-14833587-id-76513.html nand info & nand device 显示flash的信息: DM365 :>nand infoDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit, sector size 16 KiBDM365 :>nand deviceDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit nand read(.oob) addr off size 不管是读

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

(1)首先需要了解NAND FLASH的结构.如图: 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器:由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分),就是这个片子的容量512M字节.其他型号的Flash

关于nandflash的说明,请参考其他. 现在先贴出来韦东山先生的代码,作我学习之用. @************************************************ @ File:head.s @ 功能:设置SDRAM,将程序复制到SDRAM,然后跳到SDRAM继续执行 @************************************************ .text .global _start _start: @函数disable_watch_dog, m

http://blog.csdn.net/renpine/article/details/4572347 http://msdn.microsoft.com/en-US/library/ee482032(v=winembedded.60).aspx WinCE NAND flash - FAL From ESSLabWiki 1. Introduction Flash與一般常見的Disk不同,其特性是無法重複對同一塊記憶體位置去做Write的動作,必須要Erase那塊記憶體位置才可以做Write

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

转载请注明出处:http://blog.csdn.net/ruoyunliufeng/article/details/25240909 一.框架总结 watermark/2/text/aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvcnVveXVubGl1ZmVuZw==/font/5a6L5L2T/fontsize/400/fill/I0JBQkFCMA==/dissolve/70/gravity/SouthEast" alt=""> 二.硬件原理 water

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

介绍     1965年,在双极管被W.Shockley.W.Brattain和J.Bardeen三人发明出来之后,Intel的合作创始人Gordon Moore发现了这样一条法则:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每一年便会增加一倍,性能也将提升一倍.而事实上,在接下来的几年集成电路上的晶体管数目大概每18个月就会增加一倍.例如,从Pentium 1.3到Pentium 4之间的18个月里,单位面积里的晶体管数量就从2800万增加到了5500万.     今天,一个标准的桌面PC的

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

nuc900 nand flash mtd 驱动,请参考! /* * Copyright © 2009 Nuvoton technology corporation. * * Wan ZongShun <mcuos.com@gmail.com> * * This program is free software; you can redistribute it and/or modify * it under the terms of the GNU General Public Licens