高性能异步SRAM技术角度
2024-08-24 17:12:22
当前有两个不同系列的异步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来，这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中，通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管，因此会加剧存取延迟，而且在此过程中会延长存取时间。在快速SRAM中，存取时间占首要地位，因此不能使用这些技术。此外要减少传播延迟，需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大会增大漏电流，从而增加整体待机功耗。
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。这种工作模式有助于为大部分时间都处于待机状态下的应用省电。该控制器可在正常工作中全速运行，但事后则进入低功耗模式，以便节省电源。使所连接的SRAM也具有类似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的异步快速SRAM是这类应用的理想选择。这种SRAM芯片有一个附加输入引脚，有助于用户在不同的工作模式(正常、待机和深度睡眠)间切换。因此可在不影响性能的情况下管理低功耗。
到目前位置的典型SRAM应用接受这种权衡：电池供电应用使用低功耗SRAM(降低性能)，有线工业高性能应用则使用快速SRAM。不过对于物联网及其它众多高级应用来说，这种权衡不再适用。主要原因是对于大部分这些应用而言，不仅高性能很重要，同时还必须限制待机功耗，因为这些应用大多采用电池供电工作。非常幸运的是，SRAM正在缩小这两个系列之间的性能差距，正逐渐发展成具有这两种优势的单芯片产品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM芯片.
VTI快速异步SRAM部分型号
| Density | Org. | Part Name | Temp. | Vcc(V) | Speed | Package | Packing |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532LF08TM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532LF08LM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532NF08TM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 4M x 8 | VTI532NF08LM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532LF16TM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532LF16LM | Industrial | 1.8 | 8/10 | 48BGA | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532NF16TM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48TSOP1 | Tray |
| 32Mbit | 2M x 16 | VTI532NF16LM | Industrial | 3.3 | 8/10 | 48BGA | Tray |
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