因CH32F203 相对于CH32F103 flash操作的快速编程模式由单次128字节编程变成了单次256字节编程,该文档说明主要目的是为了方便客户在原先CH32F103工程的基础上实现flash 单次256字节快速编程的快速移植。

1、在ch32f10x_flash.c 文件中,增加flash寄存器快速编程位定义

修改后如下图所示:

2、在ch32f10x_flash.c 文件中,修改FLASH_ErasePage_Fast()函数

修改后如下图所示:

3、在ch32f10x_flash.c 中修改FLASH_ProgramPage_Fast()快速编程函数。

修改后如下图所示:

4、在ch32f10x_flash.h文件中,增加FLASH_ProgramPage_Fast()快速编程函数的声明。

修改后如下图所示:

5、上述步骤完成后,即可执行单次256字节的编程,在main.c文件中,编写Flash_Test_Fast()函数,使能USART1_TX(PA9)打印调试结果,测试单次256字节编程。

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