Author:Cherry_Ywj

0. 前言

本文档以 DS18B20 为例,主要介绍如何针对一种传感器编写相应的驱动库,驱动是单片机开发中难度较大的一环。从看别人代码并对照 datasheet 开始,学会调用别人编写的库,然后尝试着自己写。

1. 基础内容

1.1 开漏输出

STM32 的输出模式有推挽输出开漏输出,推挽输出已经使用的很熟练了,也很简单,而开漏输出有一些新的特性。

在开漏模式时,上管 P-MOS 始终关断,呈现高阻态,输出控制只控制下管 N-MOS。所以,开漏模式没法主动输出高电平。因此,一般在设置开漏模式时,需要设置上拉模式。当设置输出为高电平时,实际上高电平是上拉电阻提供的,而输出低电平时,导通 N-MOS 即可。

强上拉和弱上拉

弱上拉指的是上拉电阻比较大,想想电阻的串并联,上拉电阻比较大时,如果外接一个比较小的电阻至地,则输出的电压就会比较小。

因此,上拉电阻越小,上拉就越强。开漏输出的上拉电阻是比较弱的上拉(上拉电阻约为40kΩ),所以在 DS18B20 的数据线上需要加一个 4.7kΩ 左右的上拉电阻,这个在后面会提到。

上面是开漏输出的一个特性,第二个特性是它还可以读取当前的引脚状态,即当成输入模式使用。这在双向传输数据都在一根数据线上的通信过程中非常有用。

1.2 datasheet

在之后进行代码驱动编写时,需要认真阅读 DS18B20 的数据手册,这里放个中文版手册:

https://zhuanlan.zhihu.com/p/453052826

之后涉及到的手册里面的内容不再过多解释。现在解释几个重要的部分

  • 总线释放

当 STM32 主动控制数据线(DQ)时,称 STM32 控制着总线;而 STM32 释放总线时,则将总线的控制权交给了从机(DS18B20)

如何释放总线?

前面提到了开漏输出的特性,将开漏输出设置为高电平即为释放总线,因为高电平是由上拉电阻给的,并不是 STM32 本身,控制权已经不在 STM32 处。

  • LSB & MSB

DS18B20 的数据传输都是从低位传到高位。

2. 代码编写

2.1 微秒函数

在与 DS18B20 的通信过程中涉及到许多微秒级别的延时,这里嫖了一份代码,直接用就行

#define CPU_FREQUENCY_MHZ    72		// STM32时钟主频
void delay_us(__IO uint32_t delay)
{
int last, curr, val;
int temp; while (delay != 0)
{
temp = delay > 900 ? 900 : delay;
last = SysTick->VAL;
curr = last - CPU_FREQUENCY_MHZ * temp;
if (curr >= 0)
{
do
{
val = SysTick->VAL;
}
while ((val < last) && (val >= curr));
}
else
{
curr += CPU_FREQUENCY_MHZ * 1000;
do
{
val = SysTick->VAL;
}
while ((val <= last) || (val > curr));
}
delay -= temp;
}
}

2.2 宏定义

#define GPIO_PORT GPIOC
#define GPIO_PIN GPIO_PIN_0 #define DQ_OUT(x) HAL_GPIO_WritePin(GPIO_PORT,GPIO_PIN,x)
#define DQ_IN() HAL_GPIO_ReadPin(GPIO_PORT,GPIO_PIN)

前面已经介绍到,开漏输出也可以当作输出,也可以当作输入使用。

2.3 基本时序配置

在与 DS18B20 通信的过程中,主要涉及几个方面

  • 复位(又称初始化)
  • DS18B20 响应
  • 向 DS18B20 写入数据
  • 从 DS18B20 读取数据

这些过程在 datasheet 都以提及,阅读下面代码时请对照 datasheet

2.3.1 复位
void DS18B20_Rst(void)
{
DQ_OUT(0);
delay_us(750);
DQ_OUT(1); //释放总线
delay_us(15);
}
2.3.2 DS18B20响应
//返回0:响应成功
uint8_t DS18B20_Check(void)
{
uint8_t temp=0;
while(DQ_IN()&&temp<200) //等待18B20拉低电平
{
temp++;
delay_us(1);
}
if(temp>=200) //如果超过200us电平还没被拉低,说明没检测到
return 1; temp=0;
while(!DQ_IN()&&temp<240) //等待18B20拉低电平结束,电平重新为高
{
temp++;
delay_us(1);
}
if(temp>=240)
return 1;
return 0; }
2.3.3 向 DS18B20 写入数据
void DS18B20_Write_Byte(uint8_t data)
{
uint8_t i=0;
uint8_t bit=0;
for(i=0;i<8;++i)
{
bit=data&0x01;
data=data>>1;
if(bit) //写1
{
DQ_OUT(0);
delay_us(2);
DQ_OUT(1);
delay_us(60);
}
else //写0
{
DQ_OUT(0);
delay_us(60);
DQ_OUT(1);
delay_us(2);
}
}
}

这里要说明一下为什么写 0 时最后需要拉高总线 2us,这是为了防止如果写入的数据一直是 0 时,超过 480 us 就会被当成复位信号从而把 DS18B20 复位了!

2.3.4 读取数据

读取数据比较复杂,需要先写好读取单个 bit 的函数,再读取一个 byte

//从18B20读取一个bit
uint8_t DS18B20_Read_Bit(void)
{
uint8_t bit;
DQ_OUT(0);
delay_us(2);
DQ_OUT(1);
delay_us(12);
bit=DQ_IN();
delay_us(50);
return bit;
} //从18B20读取一个byte
uint8_t DS18B20_Read_Byte(void)
{
uint8_t i=0,bit=0,data=0;
for(i=0;i<8;++i)
{
bit=DS18B20_Read_Bit();
data=(bit<<7)|(data>>1);
}
return data;
}

2.4 温度读取

前面的基础工作都已经做好,现在来实现温度的读取吧

配置 DS18B20 完成指定任务需要三个阶段

  • 初始化(复位)
  • ROM命令
  • DS18B20功能命令

三个步骤需要循环进行才能正常工作,每次只能执行一个 ROM 命令和功能指令

float DS18B20_Get_Temp(void)
{
uint8_t temp;
uint8_t TL,TH;
short tem;
DS18B20_Rst();
DS18B20_Check();
DS18B20_Write_Byte(0xcc); // skip rom
DS18B20_Write_Byte(0x44); // convert
DS18B20_Rst();
DS18B20_Check();
DS18B20_Write_Byte(0xcc); // skip rom
DS18B20_Write_Byte(0xbe); // convert
TL=DS18B20_Read_Byte(); // LSB
TH=DS18B20_Read_Byte(); // MSB if(TH>7)
{
TH=~TH;
TL=~TL;
temp=0; //温度为负
}else temp=1; //温度为正
tem=TH; //获得高八位
tem<<=8;
tem+=TL; //获得底八位
float res=(float)tem*0.0625; //转换
if(temp)return res; //返回温度值
else return -res;
}

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