第三章 存储器的扩展（二）——> 重要
2024-09-03 18:39:37
3.2 主存储器
四、只读存储器(ROM)————>了解（考试也可能会考）
- 掩膜ROM（MROM）
- 行列选择线交叉处有 MOS 管为“1”
- 行列选择线交叉处无 MOS 管为“0”
- PROM（一次性编程）
- 熔丝断为 0
- 熔丝未断为 1
- EPROM（多次编程）
（1）N 型沟道浮动栅 MOS 电路
- EEPROM(多次性编程)
电可擦写、局部擦写、全部擦写 - Flash Memory(闪存型存储器)
就是SSD（固态硬盘），U盘之类的
| EPROM | 价格便宜，集成度高 |
|---|---|
| EEPROM | 电可擦洗重写 |
优点：比EEPROM 快，具有 RAM 功能
缺点：（1）一位的写的次数有限制；（2）当SSD挂了里面的数据没办法备份
五、存储器与CPU的连接（自主命题考画图的频率相当高）
1. 存储容量的扩展
（1）位扩展（增加存储字长）——>增加床位
小例子：用多少片 1k × 4位存储芯片组成 1k × 8位的存储器
分析：1k = 210 (有10根地址线)，8bit = 8根数据线
（2）字扩展（增加存储字的数量）——>增加房间数，去盖楼
小例子：用多少片 1k × 8位存储芯片组成 2k × 8位的存储器
分析：需要让A10地址线作为片选线
（3）字、位扩展
小例子：用多少片 1k × 4位 存储芯片组成 4k × 8位 的存储器
分析：其中的片选译码器用2-4译码器就可以。
2. 存储器与CPU连接
- 地址线的连接
- 数据线的连接
- 读/写命令线的连接
- 片选线的连接
- 合理选择存储芯片
- 其他：时序、负载
3. 试题
假设CPU有16跟地址引脚，8根数据引脚，并用MREQ作为访存控制信号（低电平有效），用WR作读/写控制信号（低电平为写，高电平为读）。现有下列存储芯片： 1k × 4位RAM、4k × 8位RAM、8k × 8位RAM、2k × 8位ROM、4k × 8位ROM、8k × 8位ROM，另外有74138译码器和各种门电路，满足以下
（1）主存地址空间分配：6000H ~ 67FFH 为系统程序区、6800H ~ 6BFFH 为用户程序区
（2）合理选用上述存储芯片，说明各选几片
（3）详细画出芯片片选逻辑
解析：系统程序区：ROM；用户程序区：RAM
下图为截图思路及答案
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