NAND Flash可以划分为SLC、MLC和TLC

SLC:单阶存储单元,读写速率快,可擦写次数高

MLC和TLC:多阶存储单元,MLC每个存储单元中存储2 bit数据,可以表示四种数据;SLC每个存储单元中存储3 bit数据,可以表示8中数据,容量大,成本低

SLC在编程时是按页顺序编程的,先编程第一页,再编程第二页,以此类推

TLC在编程时是按照progOrder编程的,下面以Micron B17A为例,介绍一下TLC的多pass编程。

根据Micron B17A的颗粒手册可知:B17A采用two pass编程,第一pass编程lower page data,第二pass编程eXtra page data和upper page data。一个wordLine必须完成two pass编程后才能进入稳定可读状态,否则就会发生UNC。

颗粒手册中有表格记录了每个progOrder需要编程的信息,包括wordLine、需要编程的pageCnt、对应的page、passOrder,根据这些信息就可以对TLC进行编程。

文笔以及总结能力不好,写的比较简单,所以可能很多地方都没有顾到,如有问题,可以评论,我看到就会回复的,大家一起学习探讨

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