几种常用的MOS管参数、应用电路及区别:IRF540N、IRF9540N、IRF9540
2024-09-05 12:41:30
1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
栅极(Gate—G,也叫做门极),源极(Source—S), 漏极(Drain—D)
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 33A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 44mΩ @ 16A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 130W |
类型 | N沟道 |
IRF540N(NMOS管)应用电路
MOS管由电压控制,与三极管不同(三极管是电流控制)。说白了,给箭头方向相反的压降就是导通,方向相同就是截止
可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻,起到限流作用;
此外,可以栅极和源极之间加一个10k的电阻,一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S
参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html
2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
漏源电压(Vdss) | -100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 23A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 117mΩ @ 11A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 140W |
类型 | P沟道 |
IRF9540N(PMOS管)应用电路
3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A
跟IRF9540N的区别是引脚封装不同,从原理图可以看出来,两个正好是上下颠倒的。
漏源电压(Vdss) | -100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 19A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 200mΩ @ 11A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 150W(Tc) |
类型 | P沟道 |
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